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公开(公告)号：CN118458705A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410538805.5
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种可控硒化单层VTe2三明治结构中的不同碲原子层的方法，其主要包括：(1)采用分子束外延三温度法在石墨烯衬底上制备单层VTe2；(2)在真空环境下，将纯度为99.999％的硒原子蒸发沉积到单层VTe2表面上，同时保持单层VTe2及石墨烯衬底在一个预设反应温度，以使沉积的硒原子与单层VTe2产生相互作用，并充分扩散，可控生成Janus结构钒硫族化物的二维有序的硒化产物VTeSe和VSe2中的任意一个。本发明构思合理，能够生长出一种新型的Janus结构钒硫族化合物或者可控硒化得到VSe2。
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公开(公告)号：CN114994340B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210486518.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于与手套箱对接的超高真空转移装置及转移方法，装置包括：与所述手套箱可连通或闭合地连接且形成有多个通道的连通腔体，以及分别与其中一个所述通道可连通或闭合地连接的真空环境发生机构、惰性气体发生机构和样品传输机构；且，所述真空环境发生机构用于将所述连通腔体中形成为超高真空环境；所述惰性气体发生机构用于向所述连通腔体中提供惰性气体；所述样品传输机构用于将样品自所述连通腔体中转移至所述手套箱中。实现了样品在超高真空环境和可控高纯惰性气体环境之间的切换，同时整个过程能够有效保证样品的高度清洁，为后续研究提供了有利的支持的效果。
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公开(公告)号：CN118387617A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410522084.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种兼容多种类样品的超高真空储存与转移装置，其包括超高真空转移系统和超高真空存储系统；超高真空转移系统包括真空转移腔体、固定底座、升降台、转移系统运输架、第一CF100闸板阀、CF35闸板阀和小型离子泵；超高真空存储系统包括真空储存腔体、存储系统运输架、中转腔体、大型离子泵、多兼容磁力储样台、分子泵、第二CF100闸板阀和全量程真空计；超高真空转移系统与超高真空储存系统之间是通过第一CF100闸板阀与第二CF100闸板阀的配合连接实现可拆卸式连接。本发明结构设计合理、紧凑，实现了不同规格样品在不同设备间的转移和设备之外的存储，保证了样品的高度清洁、转移的可行性与便捷性。
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公开(公告)号：CN115992346A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119929878A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510057145.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01G35/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法，至少包括如下步骤：将氧等离子体轰击至1T相二硫化钽材料上，能够提高所述1T相二硫化钽材料表明相变为2T相二硫化钽的相变温度；以及一种具有高相变温度的1T相的二硫化钽材料；以及通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法的应用。发明实现对二硫化钽相变温度的提高，且通过改变氧等离子体处理的时间能够实现对1T相二硫化钽相变温度的调控，以获得高相变温度的1T相二硫化钽材料，拓宽1T相二硫化钽材料在异质材料异质结等领域中的应用范围。
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公开(公告)号：CN115992346B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN116666267A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310507570.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种与晶圆级制备设备对接的旗形样品架原位转移装置，其包括均处于超高真空腔体内的储样设备、样品架、磁力传样杆、Y形晶圆架和样品生长台；储样设备包括金属圆片；样品架插槽设在金属圆片上且与金属圆片按照设计位置相互固定连接；样品架插槽由一对彼此平行布置的插板以及固设在一对插板一端端部的夹片组成；对于送入储样设备的样品，可被夹片固定在金属圆片的圆心到边缘之间任意位置；样品架插装于样品架插槽中。本发明通过在金属圆片上加设样品架插槽，使其上的样品可以对晶圆级基底任意位置的薄膜生长情况进行反馈，同时金属圆片可以很好的模拟正常晶圆级薄膜生长时的整体加热情况。
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公开(公告)号：CN114994340A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210486518.5
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于与手套箱对接的超高真空转移装置及转移方法，装置包括：与所述手套箱可连通或闭合地连接且形成有多个通道的连通腔体，以及分别与其中一个所述通道可连通或闭合地连接的真空环境发生机构、惰性气体发生机构和样品传输机构；且，所述真空环境发生机构用于将所述连通腔体中形成为超高真空环境；所述惰性气体发生机构用于向所述连通腔体中提供惰性气体；所述样品传输机构用于将样品自所述连通腔体中转移至所述手套箱中。实现了样品在超高真空环境和可控高纯惰性气体环境之间的切换，同时整个过程能够有效保证样品的高度清洁，为后续研究提供了有利的支持的效果。
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公开(公告)号：CN218122020U
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202222110135.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01Q60/10
Abstract: 本实用新型提供了一种实现多仪器间样品架转换的装置，其包括磁力储样杆、X向样品架、可转移子样品架、磁力传样杆和Z向样品架；磁力储样杆通过法兰与超高真空腔体密封连接，并可沿法兰方向移动及沿中心轴转动；X向样品架和Z向样品架安装于磁力储样杆上；可转移子样品架与X向样品架和Z向样品架可拆卸式装配连接；磁力传样杆安装于可转移子样品架一端，并与磁力储样杆在同一平面内始终保持垂直；磁力传样杆通过平移台及法兰与超高真空腔体密封连接；磁力储样杆可沿着Y方向移动及沿其轴心线旋转。本实用新型可在不对超高真空腔体进行过多改造，并不影响正常实验流程的前提下，完成样品从X向样品架和Z向样品架之间样品的双向转移过程。
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