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发明公开
一种通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119929878A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510057145.3

申请日：2025-01-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 武旭 , 胡世昊 , 杨丽琳 , 胡亘宇 , 张金凤 , 邵岩

IPC: C01G35/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法，至少包括如下步骤：将氧等离子体轰击至1T相二硫化钽材料上，能够提高所述1T相二硫化钽材料表明相变为2T相二硫化钽的相变温度；以及一种具有高相变温度的1T相的二硫化钽材料；以及通过表面氧化调控1T相二硫化钽相变温度的方法的应用。发明实现对二硫化钽相变温度的提高，且通过改变氧等离子体处理的时间能够实现对1T相二硫化钽相变温度的调控，以获得高相变温度的1T相二硫化钽材料，拓宽1T相二硫化钽材料在异质材料异质结等领域中的应用范围。

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