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公开(公告)号：CN114674428B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202111596003.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种温控偏振度可调中波红外偏振辐射源及偏振度测量方法，属于光电探测领域。本发明将中波红外线偏振片置于变温透射支架中，利用液态惰性气体对变温透射支架及其内部的中波红外线偏振片降温，通过改变黑体源和变温透射支架温度，调制偏振辐射源总辐射中的完全偏振辐射成分占比，进而实现中波红外偏振辐射源偏振度可调。同时，降低变温透射支架变温仓温度，能够有效减少中波红外线偏振片自发辐射和变温透射支架杂散光的负面干扰，提高辐射源出射光偏振度的调制精度。根据偏振度测量结果，标定偏振辐射源出射光场偏振度与黑体源温度、变温透射支架温度的函数关系；根据标定的函数关系实现对温控偏振度可调中波红外偏振辐射源偏振度的预测。
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公开(公告)号：CN103018815A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210578546.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种深紫外铝光栅偏振器，包括铝光栅和基底介质，铝光栅的周期为50nm-100nm，厚度为50nm-200nm，占空比（光栅栅线宽度/光栅周期）为0.3-0.7；基底介质的材料是SiO2；基底介质紧密的包裹铝光栅。本发明的光栅偏振器可以覆盖波长为150nm-160nm的超深紫外光，体积小、结构紧凑；本发明的光栅偏振器解决了现有偏振器不能工作在157nm波长而无法满足157nm光刻技术需求的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111948750A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010908398.4
申请日：2020-09-02
Applicant: 北京理工大学
Inventor： 冯钰贻 , 黄玲玲 , 王涌天 , 保罗·莱特 , 卢卡斯·施密特·门德 , 赵睿哲 , 肖晓飞 , 克莱顿·奈米茨 , 林泽萌 , 丁宁 , 康果果 , 程德文 , 魏群烁 , 祝双琦
Abstract: 本发明涉及一种具有手性光学活性的超颖材料偏振转换器件，属于微纳光学器件技术领域。由若干单元准六角周期阵列排布而成；所述单元依次由纳米金层、氧化铝层、黏附层、基底层以及各项异性纳米金结构构成；所述氧化铝层中心开设深孔；所述各项异性纳米金结构镶嵌在深孔中；本发明结合倾斜入射光，使得入射光方向、表面法线方向以及金纳米结构在横截面的对称轴方向形成三元一体的手性结构，采用可面向工业化生产的氧化铝模板技术和倾斜蒸镀技术进行制备，获得一种在可见光和近红外波段工作的大面积、宽波段、高性能的手性光学器件，可解决当前手性光学超颖器件难以实现大面积制备的问题。
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公开(公告)号：CN103018815B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210578546.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种深紫外铝光栅偏振器，包括铝光栅和基底介质，铝光栅的周期为50nm-100nm，厚度为50nm-200nm，占空比（光栅栅线宽度/光栅周期）为0.3-0.7；基底介质的材料是SiO2；基底介质紧密的包裹铝光栅。本发明的光栅偏振器可以覆盖波长为150nm-160nm的超深紫外光，体积小、结构紧凑；本发明的光栅偏振器解决了现有偏振器不能工作在157nm波长而无法满足157nm光刻技术需求的问题。
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公开(公告)号：CN111948750B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010908398.4
申请日：2020-09-02
Applicant: 北京理工大学
Inventor： 冯钰贻 , 黄玲玲 , 王涌天 , 保罗·莱特 , 卢卡斯·施密特·门德 , 赵睿哲 , 肖晓飞 , 克莱顿·奈米茨 , 林泽萌 , 丁宁 , 康果果 , 程德文 , 魏群烁 , 祝双琦
Abstract: 本发明涉及一种具有手性光学活性的超颖材料偏振转换器件，属于微纳光学器件技术领域。由若干单元准六角周期阵列排布而成；所述单元依次由纳米金层、氧化铝层、黏附层、基底层以及各项异性纳米金结构构成；所述氧化铝层中心开设深孔；所述各项异性纳米金结构镶嵌在深孔中；本发明结合倾斜入射光，使得入射光方向、表面法线方向以及金纳米结构在横截面的对称轴方向形成三元一体的手性结构，采用可面向工业化生产的氧化铝模板技术和倾斜蒸镀技术进行制备，获得一种在可见光和近红外波段工作的大面积、宽波段、高性能的手性光学器件，可解决当前手性光学超颖器件难以实现大面积制备的问题。
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公开(公告)号：CN106125353A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610367410.9
申请日：2016-05-30
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: G02F1/1313 , G02B27/0927 , G02B27/0938
Abstract: 本发明公开了通过引入正切相位将涡旋光束光强分布离散化的方法，在涡旋光束中引入正切相位，其相位表达式为其中l为正切相位涡旋光束的拓扑荷数，θ为方位角，k为分开因子，至此就实现了涡旋光束光强分布的离散化；本发明方法能够将传统涡旋光束的光强分布离散化，即一束涡旋光束由若干个离散的子光束组成，同时不改变涡旋光束的基本特性。操作简单，能够扩展涡旋光束的应用潜能。
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公开(公告)号：CN114674428A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111596003.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种温控偏振度可调中波红外偏振辐射源及偏振度测量方法，属于光电探测领域。本发明将中波红外线偏振片置于变温透射支架中，利用液态惰性气体对变温透射支架及其内部的中波红外线偏振片降温，通过改变黑体源和变温透射支架温度，调制偏振辐射源总辐射中的完全偏振辐射成分占比，进而实现中波红外偏振辐射源偏振度可调。同时，降低变温透射支架变温仓温度，能够有效减少中波红外线偏振片自发辐射和变温透射支架杂散光的负面干扰，提高辐射源出射光偏振度的调制精度。根据偏振度测量结果，标定偏振辐射源出射光场偏振度与黑体源温度、变温透射支架温度的函数关系；根据标定的函数关系实现对温控偏振度可调中波红外偏振辐射源偏振度的预测。
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