化学机械抛光设备的调度方法、装置及化学机械抛光设备

    公开(公告)号:CN114219355A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111625689.3

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明公开了化学机械抛光设备的调度方法、装置及化学机械抛光设备,抛光设备包括双侧传递的多个抛光头,该方法包括:获取多个抛光头的调度流程;从调度流程中提取多个抛光头在下一时刻的动作执行信息;根据动作执行信息筛选在下一时刻存在位置重叠的抛光头;根据存在位置重叠抛光头所执行动作的优先级对存在位置重叠的抛光头所对应的调度流程进行调整。本发明通过对抛光头的行为动作进行预判从而调整的调度流程,有效避免了因抛光头工作协调问题可能发生的撞击问题,同时双侧多抛光头可以通过多种组合方式按照调度流程执行动作,有效提高了晶圆在抛光过程中的动作执行效率。

    一种抛光模组故障处理方法、装置及抛光设备

    公开(公告)号:CN114178971A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111542251.9

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种抛光模组故障处理方法、装置及抛光设备,该方法包括:获取抛光模组的故障数据信息及所述抛光模组内晶圆的当前晶圆状态;对故障数据信息进行分析,得到故障类型;根据故障类型和所述当前晶圆状态进行故障处理。本发明通过对故障数据信息进行分析,然后进行故障处理,使晶圆在抛光模组的传输、抛光、清洗过程中发生故障时能够及时处理故障,避免了晶圆因故障处理不当而产生的损失。

    一种晶圆加工设备的运行监控方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN114944353A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210559396.8

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工设备的运行监控方法、装置及存储介质,应用于功能块,功能块运行在晶圆加工设备中的模块外部,该方法包括:获取晶圆加工设备中待监控加工模块以及计算持续时间;判断当前状态的持续时间和当前状态最长允许时间的大小;当待监控加工模块当前状态的持续时间大于待监控加工模块当前状态最长允许时间时,发出待监控加工模块的超时报警;根据超时报警控制待监控加工模块急停、晶圆加工设备急停或者其他加工模块继续加工。该监控方法应用于运行在模块功能之外功能块中,不受模块自身情况的限制,能够在运行状态超时时发出预警提醒之后控制模块和机台做出相应的处理动作,避免晶圆受损或晶圆加工设备的加工受阻。

    一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN114888714A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210462765.1

    申请日:2022-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质,该方法包括:获取设置的第一工艺参数;将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置;判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同,当不同时,拒绝加工。通过将保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数进行对比,当两个数值不一样时,拒绝加工。当两个数值不一样时,可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致,对比两个参数是否相同可以发现参数异常,减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常,造成计算时间的误差,从而减少晶圆被异常抛光的可能性。

    研磨液供给装置及研磨机

    公开(公告)号:CN114833725A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210552475.6

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种研磨液供给装置及研磨机,研磨液供给装置包括供液管路和吹气组件,供液管路具有出液端,供液管路的出液端适于设置于抛光垫的上方,以滴落研磨液至抛光垫上;吹气组件设于供液管路的出液端一侧,用于向研磨液吹气,以使研磨液均匀分布在抛光垫上。本发明提供了一种研磨液供给装置,提高了抛光垫上研磨液分布的均匀性,改善了晶圆的质量。

    一种传感器与晶圆相对轨迹追踪方法

    公开(公告)号:CN115446669A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110645765.0

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种传感器与晶圆相对轨迹追踪方法,属于CMP设备技术领域,包括以下步骤:通过已知条件,对AB之间的距离进行计算;在T1时刻,以A点此刻所处的位置为圆心,AB此刻的长度为半径形成第一圆,第一圆与晶圆边缘产生第一交点;重复执行交点获取步骤,直至传感器脱离晶圆的位置时,得到若干交点;传感器在扫过晶圆时,通过将若干交点进行曲线拟合,得到传感器在晶圆上扫过的弧线。本发明提供的传感器与晶圆相对轨迹追踪方法,能够实时获得传感器相对于抛光头中心的距离,获取传感器扫过晶圆时的弧线,获得传感器相对于晶圆的实时位置,可以由传感器传来的数据得知此时晶圆的研磨状况,进而可以对抛光头的压力进行实时调整。

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