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公开(公告)号：CN103245692B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
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公开(公告)号：CN103257154B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
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公开(公告)号：CN103364434A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
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公开(公告)号：CN118504349A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410728598.X
申请日：2024-06-06
Applicant: 北京机电工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于区域边界网格模型剪裁的空间点阵建模方法及系统，该方法包括：根据目标结构模型生成点阵填充空腔的内表面边界网格模型；根据目标结构的形状建立包含内表面边界网格模型的规则空间区域，并根据预设点阵分布参数对规则空间区域进行点阵填充；对规则空间区域内的每个点阵节点均沿多个不同矢量方向引出射线，根据每个点阵节点引出的多条射线与内表面边界网格模型的交点数量判断每个点阵节点与内表面边界网格模型的位置关系；根据每个点阵节点与内表面边界网格模型的位置关系判断每个点阵杆与内表面边界网格模型的位置关系；根据任意两个点阵节点间的点阵杆与内表面边界网格模型的位置关系对规则空间区域内填充的点阵进行剪裁以得到填充目标结构模型空腔的空间点阵模型。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中模型运算量大、规模大、受几何形状限制严重的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103267772A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
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公开(公告)号：CN103267772B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
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公开(公告)号：CN103257154A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
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公开(公告)号：CN103364434B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
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公开(公告)号：CN103245692A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
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