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公开(公告)号：CN116047138A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211696958.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改善隧穿磁阻元件强磁场稳定性的传感器，包括：隧穿磁阻元件、调理电路和金属线；隧穿磁阻元件用于感应待测电流与负反馈电流共同产生的合成磁场，输出感应电压；调理电路接收感应电压进行调理反馈，输出负反馈电流；金属线设置在隧穿磁阻元件的外围，调理电路输出的负反馈电流流过金属线，金属线在隧穿磁阻元件的外围产生与待测电流磁场相反的磁场。通过实施本发明，调理电路能够基于待测电流输出反馈电流，反馈电流流过金属线能够在隧穿磁阻元件周围产生负反馈磁场，该负反馈磁场能够抵消待测电流流过隧穿磁阻元件时产生的磁场，保护隧穿磁阻元件。
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公开(公告)号：CN117630772A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311320837.X
申请日：2023-10-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三维隧道磁阻传感器及其制造方法。所述三维隧道磁阻传感器包括至少两个相同的隧道磁阻芯片，每一隧道磁阻芯片均包括第一磁敏单元及第二磁敏单元，第一磁敏单元及第二磁敏单元形成于同一衬底，第一磁敏单元用于感应水平方向的磁场，第二磁敏单元用于感应垂直方向的磁场，两个相同的隧道磁阻芯片以倒装焊的方式进行封装，使两个隧道磁阻芯片的第一磁敏单元面对面互联，两个隧道磁阻芯片的第二磁敏单元面对面互联，形成全桥结构。本发明通过一次制备工艺即可同时确定三个方向TMR结构的磁化方向，采用倒装焊技术实现三个方向磁敏单元的全桥结构，缩小了三维隧道磁阻传感器的体积，减少了误差。
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公开(公告)号：CN117148249B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN115436848A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211067437.8
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性隧道结和磁性隧道结传感器，属于传感器技术领域。所述磁性隧道结包括：依次层叠设置的第一电极层、第一磁性层、隧穿势垒层、第二磁性层和第二电极层；其中，所述隧穿势垒层的材料与所述第一磁性层和所述第二磁性层的材料的晶格失配度低于1％。通过本发明实施例，可以减少磁性层和势垒层之间的界面位错和势垒缺陷，增加磁性隧道结的TMR值，提高磁性隧道结的灵敏度以及温度的稳定性。
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公开(公告)号：CN117148249A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN114531648B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210117258.4
申请日：2022-02-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H04W4/02 , H04L43/0852
Abstract: 本发明涉及超宽带定位技术领域，其实施方式提供了一种超宽带同步定位方法、装置、电子设备及系统。其中超宽带同步定位方法包括：确定每个超宽带定位基站与所述控制端之间的传输路径；确定每条传输路径上的传输时延；根据所述控制端接收到定位标签信息的接收时间和所述定位标签信息所经过的传输路径所对应的传输时延，确定所述传输路径对端的超宽带定位基站发送所述定位标签信息的发送时间；根据所述定位标签信息和定位标签信息的发送时间解算得到所述定位标签的位置。本发明提供的实施方式避免了超宽带同步定位系统中额外的同步花销，降低了系统成本和后台的计算负载。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN117098447A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN115490213B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Inventor： 潘丽坤 , 张亚娟 , 陆婷 , 杨文 , 李良 , 平爱军 , 白鹏飞 , 胡泉 , 易玲 , 姬忠平 , 颜培帅 , 王海宝 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 李延 , 张谦
IPC: C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN115857541A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211457567.2
申请日：2022-11-21
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于A*规划算法的路线规划方法，其特征在于，方法包括：根据A*规划算法以及地图，确定评估函数；根据评估函数，确定初步规划路线；根据预设策略以及初步规划路线，去除初步规划路线中的冗余对象，确定目标规划路线。本申请通过上述方法本申请可以在A*算法的基础上确定一个优化过的规划路线，去除了冗余的转折点等对象，降低了总转弯角度的同时使路径平滑度进一步提高，简单高效地降低了飞行轨迹的长度，从而进一步降低无人机飞行的能耗，提高了无人机的完飞率，避免了因能耗过大而导致的无人机坠毁事故。
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