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公开(公告)号：CN114297114A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111393315.3
申请日：2021-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种加密卡及其数据交互方法、装置及计算机可读存储介质，其中加密卡数据交互方法应用于加密卡中的任意密码芯片，加密卡包括多个密码芯片，每个密码芯片均通过PCIE开关芯片与其它密码芯片以及上位机进行通信，方法包括以下步骤：接收上位机发送的第一数据同步指令，第一数据同步指令包括待同步数据；根据同步密钥和待同步数据生成第一交互同步指令；将第一交互同步指令发送至其它密码芯片，以使其它密码芯片根据同步密钥对第一交互同步指令进行解密得到待同步数据。由此，可以实现加密卡中多密码芯片之间直接进行数据同步交互，从而提高加密卡的数据处理速度。
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公开(公告)号：CN112118223A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010802177.9
申请日：2020-08-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种主站与终端的认证方法、主站、终端及存储介质，方法包括：主站向终端发起会话密钥协商获得第一会话密钥；主站向终端发送第一认证报文，其包括第一认证标识、第一非对称密钥索引、第一对称密钥索引和第一数据报文，第一数据报文包括主站生成的第一随机数和主站利用第一会话密钥对第一随机数进行加密生成的第一加密密文；主站接收终端发送的第一认证响应报文，其包括终端利用第一非对称密钥索引对第一随机数和终端生成的第二随机数进行数字签名生成的第一签名信息；主站验证第一签名信息的正确性，并在验证通过后完成对终端的认证。由此，采用对称与非对称加密算法相结合的方式进行主站与终端之间的认证，安全性高。
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公开(公告)号：CN112261663B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202011060384.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多台区组网时的同频干扰抑制方法、系统及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取每个台区的标识信息；生成跳频指令，并根据每个台区的标识信息和跳频指令生成跳频控制字，以及根据跳频控制字控制跳频频点合成器合成每个台区对应的频点；根据每个台区对应的频点生成每个台区的跳频图案，以便每个台区根据对应的跳频图案进行组网通信。由此，本发明实施例的多台区组网时的同频干扰抑制方法，通过每个台区对应的频点生成的跳频图案，对每个台区进行区分及跳频组网，从而，降低每个台区的频点重复概率，避免台区之间的同频干扰，且组网协议简单，有利于实现对每个台区的网络控制和管理。
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公开(公告)号：CN112118223B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010802177.9
申请日：2020-08-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种主站与终端的认证方法、主站、终端及存储介质，方法包括：主站向终端发起会话密钥协商获得第一会话密钥；主站向终端发送第一认证报文，其包括第一认证标识、第一非对称密钥索引、第一对称密钥索引和第一数据报文，第一数据报文包括主站生成的第一随机数和主站利用第一会话密钥对第一随机数进行加密生成的第一加密密文；主站接收终端发送的第一认证响应报文，其包括终端利用第一非对称密钥索引对第一随机数和终端生成的第二随机数进行数字签名生成的第一签名信息；主站验证第一签名信息的正确性，并在验证通过后完成对终端的认证。由此，采用对称与非对称加密算法相结合的方式进行主站与终端之间的认证，安全性高。
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公开(公告)号：CN114281594A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111392044.X
申请日：2021-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片的实时检测方法、装置及芯片、存储介质，所述方法包括：在接收到任一检测电路发送的报警信号时，分别采用第一校验算法和第二校验算法对所述报警信号进行校验运算，得到第一校验信号和第二校验信号，所述检测电路与所述芯片各模块对应设置；在所述第一校验信号和所述第二校验信号比对失败时，触发所述芯片进行复位操作或自毁操作；通过采用第一校验算法和第二校验算法对报警信号进行校验运算，并将不同的校验信号的状态进行比对，在状态不一致时确定报警信号被攻击，并将报警信号反馈至应用，具有可抵抗多点故障攻击的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114297114B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111393315.3
申请日：2021-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种加密卡及其数据交互方法、装置及计算机可读存储介质，其中加密卡数据交互方法应用于加密卡中的任意密码芯片，加密卡包括多个密码芯片，每个密码芯片均通过PCIE开关芯片与其它密码芯片以及上位机进行通信，方法包括以下步骤：接收上位机发送的第一数据同步指令，第一数据同步指令包括待同步数据；根据同步密钥和待同步数据生成第一交互同步指令；将第一交互同步指令发送至其它密码芯片，以使其它密码芯片根据同步密钥对第一交互同步指令进行解密得到待同步数据。由此，可以实现加密卡中多密码芯片之间直接进行数据同步交互，从而提高加密卡的数据处理速度。
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公开(公告)号：CN112261663A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011060384.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多台区组网时的同频干扰抑制方法、系统及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取每个台区的标识信息；生成跳频指令，并根据每个台区的标识信息和跳频指令生成跳频控制字，以及根据跳频控制字控制跳频频点合成器合成每个台区对应的频点；根据每个台区对应的频点生成每个台区的跳频图案，以便每个台区根据对应的跳频图案进行组网通信。由此，本发明实施例的多台区组网时的同频干扰抑制方法，通过每个台区对应的频点生成的跳频图案，对每个台区进行区分及跳频组网，从而，降低每个台区的频点重复概率，避免台区之间的同频干扰，且组网协议简单，有利于实现对每个台区的网络控制和管理。
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公开(公告)号：CN112073198A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010803342.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用电信息采集系统及其电表的内部认证方法、终端，方法包括：终端向电表发送电表内部认证指令，该认证指令包括电表内部认证标识、第一密钥索引、第二密钥索引和数据报文，数据报文包括认证数据；终端接收电表发送的响应报文，响应报文包括电表利用第一密钥索引对认证数据进行加密生成的第一数据密文；终端利用第一密钥索引对认证数据进行加密生成第二数据密文，并判断第二数据密文与第一数据密文是否相同，如果相同，则判定电表为合法电表。由此，通过终端下发、计算电表的内部认证指令，以完成电表的合法性认证，有效节省了主站与电表之间的交流过程，充分发挥终端的中间作用，不仅提高了认证效率，也提高了认证的执行率。
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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN113990942B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111623306.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法，包括：衬底、栅介质层和栅电极；衬底上划分有第一区域，第一区域形成有高压阱区；第一区域包括第二区域和第三区域；第二区域形成有体区，第三区域形成有漂移区，漂移区和体区位于高压阱区内；第二区域包括第四区域和第五区域，第四区域经离子注入形成源区；第三区域包括第六区域和第七区域；第七区域经离子注入形成漏区；栅介质层形成在第五区域和第六区域上方；栅介质层包括薄氧区和场氧区；场氧区表面划分有第八区域；栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局，消除工艺梯度误差，提升量产工艺的良率、均匀性和一致性；采用圆形场板结构，提升器件的击穿电压和可靠性。
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