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公开(公告)号：CN117080267A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311120002.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。
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公开(公告)号：CN118039472A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211358217.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/308 , H01L29/06
Abstract: 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀，得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜，对所述SiC衬底进行干法刻蚀，得到具有目标角度台面的SiC衬底；其中，所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度；本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移，最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面，进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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公开(公告)号：CN117393609A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311591602.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括：由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层；漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区；每两个p阱区之间设置肖特基区；肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区；肖特基区中设置两个肖特基接触p+区；p阱区中嵌有两个n+源区和一个位于中间的源极p+区；漂移层中从一端开始每两个p阱区构成一个p阱区组；p阱区组中的源极p+区的宽度相同；漂移层中的p阱区组的源极p+区的宽度从器件的边缘至器件的中央呈递增分布；p阱区的上表面设置栅氧化层和多晶硅层；栅氧化层和多晶硅层的外表面包裹隔离介质层。本发明能提高碳化硅MOSFET器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115377189A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210867122.5
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件终端结构及其制备方法，包括：在所述终端结构的外延层的上表面设有具有斜坡形状的斜面刻蚀区，所述斜面刻蚀区的高侧与置于所述外延层上的过渡区相接，所述斜面刻蚀区低侧为终端边缘；在所述终端边缘处设有N+注入截止环；在所述斜面刻蚀区上设有刻蚀沟槽；所述碳化硅器件终端结构的P型离子注入区域位于在所述刻蚀沟槽内，本发明将P型离子注入区域设置于斜面刻蚀区，并在刻蚀沟槽处进行注入可加深碳化硅器件终端结构的注入深度，通过斜面刻蚀终端技术和加深离子注入深度可以使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116053292A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210934974.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。上述的绝缘栅双极晶体管在降低导通压降时，不增加绝缘栅双极晶体管的关断损耗，能很好地满足高压大功率开关的应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220914242U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322363052.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。
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公开(公告)号：CN119716234A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411761640.4
申请日：2024-12-03
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 合肥工业大学
IPC: G01R19/32 , G06N3/0499 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供基于BP网络的全光纤电流互感器温度补偿方法及系统，方法包括：通过物理试验获取全光纤电流互感器运行数据；处理全光纤电流互感器初始运行数据，提取样本数据；建立基于BP神经网络算法的全光纤电流互感器温度补偿模型。本发明解决了对不均匀温度影响的考虑不充分，导致全光纤电流互感器在周围温度变化时测量准确度下降的技术问题。
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公开(公告)号：CN119399455A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510013197.0
申请日：2025-01-06
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 安徽明生恒卓科技有限公司 , 合肥工业大学
IPC: G06V10/25 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06T11/00 , G06V10/28 , G06V10/30 , G06V10/44 , G06V10/62 , G06V10/774 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种目标检测方法，包括读取摄像机的当前帧图像和当前帧之前的序列帧图像，对序列帧图像和当前帧图像分别进行处理生成环境背景图像和新图像；采用背景差分法计算新图像与环境背景图像之间的差异，依据自适应差分阈值将差异结果二值化得到二值图像，并采用边缘检测算法获取二值图像中的轮廓边缘；计算轮廓边缘的最小矩形边界框作为动态区域边界框，并采用矩形提取策略得到包含动态区域的图像；将包含动态区域的图像输入至目标检测模型中得到目标检测结果，目标检测模型为预先采用考虑气象因素的数据集训练得到；本发明避免目标区域占比过低造成无法进行目标识别的问题，且采用考虑气象因素的数据集训练模型，提高了模型泛化能力。
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公开(公告)号：CN119395991A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411484237.1
申请日：2024-10-23
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G05B13/04 , G01K13/00 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/084
Abstract: 一种变压器重过载顶层油温预测控制方法、设备及存储介质，属于输变电技术领域，解决现有技术的使用单一变量的变压器油温预测模型在重过载工况下，难以有效提取表征油温序列的空间特征和时序特征的问题；本发明利用CNN网络对油温预测数据进行空间静态特征提取，利用BiGRU算法前后双向对油温预测数据进行深度挖掘，结合Meyer‑KAN预测模型加强同一特征不同时间区间以及同一时间区间不同特征之间的相互联系，增强模型的学习能力从而提高油温预测精度，能有效的融合多变量数据对重过载工况下的变压器油温预测，并且具有较好的精度和一定的泛化能力。
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公开(公告)号：CN118228024A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311650767.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 合肥工业大学
Inventor： 李宾宾 , 张竹 , 罗沙 , 田宇 , 柯艳国 , 王刘芳 , 邱欣杰 , 程登峰 , 朱太云 , 朱胜龙 , 陈庆涛 , 黄杰 , 马亚彬 , 邱曼曼 , 汪玉 , 李坚林 , 甄超 , 姜源 , 温睿 , 韦健 , 金晶 , 秦少瑞 , 秦金飞 , 叶剑涛 , 郑浩 , 宋东波 , 秦琪 , 陈艺 , 王鑫 , 金雨楠 , 周立军 , 曹飞翔 , 吴琼 , 金甲杰 , 曹涛
IPC: G06F18/213 , G01R35/02
Abstract: 本发明提供电子式互感器高频数据解析存储方法及系统，方法包括：根据电子式互感器输出的报文数据，计算测量数据的粗大幅值信息、粗大相位信息、精细幅值信息、精细相位信息；根据粗大幅值信息、粗大相位信息在短时域上特征分析，实现电子式互感器测量数据类型辨识，判断电子式互感器测量数据为稳态数据或暂态数据；根据电子式互感器测量数据类型辨识，实现差异化数据存储，对于稳态数据，采取长时域上的粗略存储方法，对于暂态数据，采样短时间上的精细存储方法。本发明解决了电子式互感器测量数据的解析和存储方法无法适应电子式互感器的各类运行状态，导致电子式互感器测量数据存储维度不足，无法支撑电子式互感器运行状态在线评价的技术问题。
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