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公开(公告)号：CN110335900B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910372272.7
申请日：2019-05-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是：玻璃作为器件的衬底；垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层；氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层；垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性，使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段，本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子，抑制缺陷影响，提升器件的输出光电流。另外，该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度，在较低的偏压下就可以进行工作，工艺制备简单可重复，有效提高探测器的探测效率和成品率。
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公开(公告)号：CN107093840B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710548931.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552714A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610028798.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/125 , H01S5/1231 , H01S5/1237
Abstract: 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。因为边发射激光器谐振腔长度的原因，其不容易直接实现单纵模输出，所以本发明要改进边发射激光器激射激光的单纵模窄线宽特性。通过电子束直写曝光的技术，区域性选择将DBR光栅融入到边发射激光器结构中，并且对含有铝组分的光栅使用氮化硅薄层进行保护。从而激光器本身激射的激光光。通过DBR光栅结构可以实现边发射激光器单纵模窄线宽激射，使得激光光束质量大幅提升，同时能够稳定输出。由此可以达到对铯原子钟良好的控制。
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公开(公告)号：CN110335900A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910372272.7
申请日：2019-05-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是：玻璃作为器件的衬底；垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层；氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层；垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性，使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段，本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子，抑制缺陷影响，提升器件的输出光电流。另外，该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度，在较低的偏压下就可以进行工作，工艺制备简单可重复，有效提高探测器的探测效率和成品率。
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公开(公告)号：CN107093840A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710548931.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
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公开(公告)号：CN105529613A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610029639.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/141
Abstract: 一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器，由852nm激光器增益芯片和依次置于增益芯片出光方向上的准直透镜、可旋转的楔形棱镜对、立方分束器、可旋转的全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、全反镜以及压电促动器组成；所述准直透镜将激光光束准直后射入外腔腔体内；所述楔形棱镜对绕光轴旋转使得正入射到棱镜镜片垂直表面的入射光束偏转；所述立方分束器将一部分光输出，另一部分光留在腔内振荡；所述法布里-珀罗滤光片可旋转以达到外腔选模的目的；所述全反镜以及PZT的结合可使全反镜沿自身法线方向移动。上述外腔激光器可以极大程度地减少机械振动对频率的影响，避免激光器出现跳摸现象，同时可以实现超窄线宽且波长线性连续可调。
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公开(公告)号：CN105758626A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610302697.7
申请日：2016-05-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/02
Abstract: 基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统，属于半导体光电子技术领域。包括：半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成；半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口，通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接；第一3dB耦合器输出为两路，一路通过法兰盘连接延时多模光纤，另一路通过法兰盘连接声光移频器；第二3dB耦合器把延时多模光纤的输出与声光移频器的输出合为一路；第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器，光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。可测量852nm半导体激光器的线宽，保证测试系统的精确度。
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