公开(公告)号：CN107093840B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201710548931.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  李鹏涛 ,  赵永东 ,  刘储 ,  李保志 ,  杨嘉炜 ,  刘振扬 ,  郭燕玲 ,  梁津 ,  胡丕丽

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。

公开(公告)号：CN107093840A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710548931.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  李鹏涛 ,  赵永东 ,  刘储 ,  李保志 ,  杨嘉炜 ,  刘振扬 ,  郭燕玲 ,  梁津 ,  胡丕丽

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。

公开(公告)号：CN205811270U

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201620775969.0

申请日：2016-07-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  李鹏涛 ,  潘冠中 ,  赵永东

IPC: H01S5/022

Abstract: 本实用新型涉及激光器封装技术领域，尤其涉及一种自制外腔半导体激光器封装外壳。该自制外腔半导体激光器封装外壳包括长方体结构外壳以及激光器底座，其中所述长方体结构外壳包括封装底板、四面封装壳体、以及电源接孔面板；所述封装底板的左右两侧分别设有底板凹槽，所述四面封装壳体由顶板、左连接侧板、右连接侧板、前固定侧板组成，其中所述的左连接侧板、右连接侧板上分别设有与所述的底板凹槽相适配的侧板凸牙，所述四面封装壳体通过所述凸牙卡装在所述封装底板的底板凹槽中。该自制外腔半导体激光器封装外壳，能够为外腔激光器提供机械保护，降低外腔器件受外界空气中灰尘的污染，减小各器件相对位置的误差，便于携带移动。