独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN107093840B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201710548931.9

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法,其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为:激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射,结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调,通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。

    独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN107093840A

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201710548931.9

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法,其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为:激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射,结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调,通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。

    一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器

    公开(公告)号:CN105529613A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201610029639.1

    申请日:2016-01-15

    CPC classification number: H01S5/141

    Abstract: 一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器,由852nm激光器增益芯片和依次置于增益芯片出光方向上的准直透镜、可旋转的楔形棱镜对、立方分束器、可旋转的全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、全反镜以及压电促动器组成;所述准直透镜将激光光束准直后射入外腔腔体内;所述楔形棱镜对绕光轴旋转使得正入射到棱镜镜片垂直表面的入射光束偏转;所述立方分束器将一部分光输出,另一部分光留在腔内振荡;所述法布里-珀罗滤光片可旋转以达到外腔选模的目的;所述全反镜以及PZT的结合可使全反镜沿自身法线方向移动。上述外腔激光器可以极大程度地减少机械振动对频率的影响,避免激光器出现跳摸现象,同时可以实现超窄线宽且波长线性连续可调。

    一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件

    公开(公告)号:CN104952968A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510243210.8

    申请日:2015-05-13

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/125 H01L31/1844

    Abstract: 一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件,集成器件由VCSEL激光器和光电探测器组成,二者是利用半导体制造工艺的方法实现单片集成;其中一部分为VCSEL激光器,在电流驱动下可以达到发射所需探测激光的目的;另一部分为光电探测器,可以达到探测激光的目的;VCSEL激光器置于两个光电探测器之间;本发明可应用于微距离测量、生物探测、气体探测等方面,具有体积小,集成度高,功耗低,精确度较高等特点。

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