公开(公告)号：CN115697023A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211316068.1

申请日：2022-10-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓蕾 ,  崔帅楠 ,  杨倩倩 ,  尚紫璇

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法与应用。本发明自旋轨道矩磁阻式随机存储器，包括：衬底和在衬底上依次层叠的非共线反铁磁层和磁阻隧道结；其中，磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的遂穿层和铁磁性层。本发明制备方法中，采用磁控溅射方法依次形成非共线反铁磁层的材料层、磁阻隧道结的各材料层，对各材料层采用光刻技术和电子束曝光技术进行图案化，形成非共线反铁磁层以及磁阻隧道结，即得到自旋轨道矩磁阻式随机存储器。本发明当电流通入具有应力梯度的非共线反铁磁层中，将产生自旋轨道耦合，从而改变非共线反铁磁层的的磁矩方向，实现隧道结的无外场写入功能。

公开(公告)号：CN109529800A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811538246.9

申请日：2018-12-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓金祥 ,  张浩 ,  杨倩倩 ,  李瑞东 ,  徐智洋 ,  孙俊杰

IPC: B01J23/08 ,  B01J35/00 ,  B01J37/02 ,  A62D3/176 ,  A62D101/20

Abstract: 一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的装置，属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。在容器中设置卡槽，将沉积了一层Ga2O3薄膜材料的石英基片卡在卡槽中，以便重复利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物。采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理；将附着Ga2O3薄膜的石英片放入容器卡槽中，在紫外光照下进行有机污染物降解。本发明采用磁控溅射法在石英基片上沉积一层纳米尺寸的Ga2O3薄膜，在容器中设置卡槽完成对石英基片的固定，实现了对Ga2O3材料的重复利用。

公开(公告)号：CN115747954A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211316081.7

申请日：2022-10-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王晓蕾 ,  崔帅楠 ,  杨倩倩 ,  赵金良

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/52 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01 ,  H10N52/85

Abstract: 本发明公开了非共线反铁磁与铁磁两相共存Mn3Ge薄膜及其制备方法与应用。本发明两相共存Mn3Ge薄膜包括非共线反铁磁Mn3Ge六角相与铁磁Mn3Ge四方相两相共存。本发明两相共存Mn3Ge薄膜的制备方法及图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar的制备方法，包括如下步骤：在衬底上采用磁控溅射方法通过调节生长温度生长，得到两相共存Mn3Ge薄膜；对两相共存Mn3Ge薄膜进行光刻胶匀胶、曝光、显影、刻蚀、去胶，即得到图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar。本发明通过调节生长温度实现了非公线反铁磁与铁磁两相共存Mn3Ge薄膜的可控生长与反常霍尔效应的调控，从而获得了具有大反常霍尔效应和抗磁干扰性能优异的自旋存储材料，能够大大拓展Mn3Ge薄膜在自旋存储领域的应用。