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公开(公告)号：CN108847455A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810601754.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 一种生长钙钛矿薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。升华PbI2材料，终端设置合适的PbI2生长温度。PbI2沉积完成后，该区加热源迅速降温。升华CH3NH3I，终端设置合适的CH3NH3I生长温度。使CH3NH3I的沉积区恰好与PbI2的沉积区重合。CH3NH3I与PbI2反应生成CH3NH3PbI3薄膜。利用化学气相沉积法制备了CH3NH3PbI3薄膜，丰富了制备CH3NH3PbI3薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN110034233A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910265037.X
申请日：2019-04-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Rubrene:MoO3混合薄膜的红外探测器的制备。主要包括衬底的清洗、薄膜的制备、薄膜的测试、探测器的制备以及探测器性能的测试。首先依次在甲苯、丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后在高真空有机-复合蒸镀系统中通过控制蒸发源的温度进而控制蒸发速率制备质量比为1:1的混合薄膜，对薄膜的光学性质和电学性质进行测试。测试发现：两种材料的相互作用很强，并在相互作用过程中诱导出中间能级，形成电荷转移络合物，光吸收对应的能量即为近红外波段。最后制备了基于该混合薄膜的红外探测器，并对其电流-电压特性进行了测试，发现基于Rubrene:MoO3薄膜的红外探测器表现出较好的光电流关断比。
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公开(公告)号：CN109647389A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910051991.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/62 , B01J37/34 , B01J37/06 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明采用Au纳米颗粒作为Ga2O3薄膜的负载材料来增强Ga2O3材料的催化降解效率。采用直流磁控溅射法在Ga2O3薄膜上沉积一层Au膜，并通过退火的方式使Au薄膜变成Au纳米颗粒形态。本发明利用Au纳米颗粒的等离激元作用来提高Ga2O3材料降解有机污染物的降解效率。
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公开(公告)号：CN109529800A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811538246.9
申请日：2018-12-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/08 , B01J35/00 , B01J37/02 , A62D3/176 , A62D101/20
Abstract: 一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的装置，属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。在容器中设置卡槽，将沉积了一层Ga2O3薄膜材料的石英基片卡在卡槽中，以便重复利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物。采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理；将附着Ga2O3薄膜的石英片放入容器卡槽中，在紫外光照下进行有机污染物降解。本发明采用磁控溅射法在石英基片上沉积一层纳米尺寸的Ga2O3薄膜，在容器中设置卡槽完成对石英基片的固定，实现了对Ga2O3材料的重复利用。
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