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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109647389A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910051991.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/62 , B01J37/34 , B01J37/06 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明采用Au纳米颗粒作为Ga2O3薄膜的负载材料来增强Ga2O3材料的催化降解效率。采用直流磁控溅射法在Ga2O3薄膜上沉积一层Au膜，并通过退火的方式使Au薄膜变成Au纳米颗粒形态。本发明利用Au纳米颗粒的等离激元作用来提高Ga2O3材料降解有机污染物的降解效率。
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公开(公告)号：CN109529800A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811538246.9
申请日：2018-12-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/08 , B01J35/00 , B01J37/02 , A62D3/176 , A62D101/20
Abstract: 一种利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物的装置，属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。在容器中设置卡槽，将沉积了一层Ga2O3薄膜材料的石英基片卡在卡槽中，以便重复利用Ga2O3薄膜催化降解有机污染物。采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；采用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；采用管式炉对Ga2O3薄膜材料进行退火处理；将附着Ga2O3薄膜的石英片放入容器卡槽中，在紫外光照下进行有机污染物降解。本发明采用磁控溅射法在石英基片上沉积一层纳米尺寸的Ga2O3薄膜，在容器中设置卡槽完成对石英基片的固定，实现了对Ga2O3材料的重复利用。
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公开(公告)号：CN109346607A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811250984.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构，属于太阳能电池技术领域。在电子传输层和空穴传输层中间的钙钛矿层分为两层，接近电子传输层的钙钛矿层为一维导电材料嵌入型结构的钙钛矿层，在SWCNT嵌入型钙钛矿层与空穴传输层之间为未嵌入SWCNT型结构的钙钛矿层，未嵌入型的常规钙钛矿层相对于SWCNT嵌入型钙钛矿层厚度较薄。采用本发明的技术方案，其载流子迁移率可提高。
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公开(公告)号：CN208873769U
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201821744672.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构，属于太阳能电池技术领域。在电子传输层和空穴传输层中间的钙钛矿层分为两层，接近电子传输层的钙钛矿层为一维导电材料嵌入型结构的钙钛矿层，在SWCNT嵌入型钙钛矿层与空穴传输层之间为未嵌入SWCNT型结构的钙钛矿层，未嵌入型的常规钙钛矿层相对于SWCNT嵌入型钙钛矿层厚度较薄。采用本实用新型的技术方案，其载流子迁移率可提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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