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公开(公告)号：CN101833348B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010172063.7
申请日：2010-05-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，通过设定LDO单元中编程电阻的阻值，可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流，PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定；NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定，NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定；根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出，从而完成编码。本发明编码方法及装置可根据不同的实际情况设定不同的编程电阻，更好的选择电子镇流器的工作方式，并且设计简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN101833348A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010172063.7
申请日：2010-05-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，通过设定LDO单元中编程电阻的阻值，可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流，PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定；NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定，NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定；根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出，从而完成编码。本发明编码方法及装置可根据不同的实际情况设定不同的编程电阻，更好的选择电子镇流器的工作方式，并且设计简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN105570975A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610105449.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: F24D17/0094 , F24D19/10
Abstract: 一种公共浴室管路存水再利用系统，该系统包括智能温控系统、热水源、冷水收集箱、管路；其中，智能温控系统包括电磁阀、时控装置、控制单元，管路包括连接管、喷头管、喷头；其中，热水源与喷头管通过连接管连接，喷头管上均匀对称布置有喷头，各喷头与控制单元连接，喷头管与冷水收集箱之间通过连接管相连；喷头管与冷水收集箱之间的连接管上设有电磁阀，电磁阀通过时控装置与控制单元连接。本系统能智能感知水温，决定水的流向；能定时改变电磁阀的开闭，从而定时放水；将凉水收集起来作为它用而不是将其简单的白白流掉或者是回流到热水箱。
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公开(公告)号：CN102075178A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010515483.0
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及一种用于低功耗VLSI的最优门控向量双阈值多米诺电路，即在双阈值多米诺电路处于休眠态的情况下，通过采用最优的门控向量减小多米诺电路的漏功耗。当双阈值多米诺电路由工作状态刚刚进入休眠态后，由于时间短，芯片温度保持高温不变，此时采用输入信号和时钟信号均为高电平的门控向量能有效的降低漏功耗；当双阈值多米诺电路由工作状态进入休眠态一段时间后，芯片温度降至室温，此时采用输入信号和时钟信号均为低电平的门控向量更能有效的降低漏功耗。
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公开(公告)号：CN102035530A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010515484.5
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/017 , H03K19/096
Abstract: 本发明涉及一种用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路，即在多米诺电路中，应用最优保持管技术，通过调节保持管的衬底电压和电源电压，实现动态功耗、漏电流、噪声容限、电路延迟和抗工艺浮动系数等多个重要参数的均衡，从而使多米诺电路达到最优化的综合性能。其中保持管的电源电压和衬底电压分别为VddL和Vb，除保持管外其余PMOS管的电源电压和衬底电压都为Vdd，电路中所有NOMS管的衬底电压为地电压Gnd，电压的大小关系为：Gnd＜Vb＜VddL＜Vdd。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201956999U
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201020574300.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/0944
Abstract: 一种3D多米诺集成电路时钟网络，属于集成电路应用领域。包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，预充管，保持管，时钟管，输出静态反相器和下拉网络，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。标准多米诺电路的时钟信号端与3D多米诺集成电路的时钟网络相连，作为延迟单元的硅通孔的一端连接上一级的多米诺电路的时钟端，硅通孔的另一端连接下一级的多米诺电路的时钟端，多级多米诺电路的时钟通过硅通孔互联在一起。本实用新型利用硅通孔的延迟作为多米诺电路时钟网络中的延迟单元，实现了后延时钟技术，节约了版图面积，减低了电路的功耗，提高了电路的性能，变制约因素为有效用途。
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公开(公告)号：CN201854266U
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201020574325.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/21
Abstract: 本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的PN混合下拉网络多米诺异或门，混合下拉网络中的两个NMOS管，每个管的一端接PMOS管，每个管的另一端接动态结点，两个PMOS管另一端接时钟管；或是混合下拉网络中的两个PMOS管，每个管的一端接NMOS管，每个管的另一端接动态结点，NMOS管另一端接时钟管；PN混合型下拉网络多米诺异或门中，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。新型异或门具有以下三个优点：一是由于新型异或门不需要采用反相器提供反向输入信号，因此消除了反相器对功耗和信号偏差的影响，实现了低功耗高性能逻辑门的设计；二是由于采用了PN混合下拉网络结构，新型异或门既具有N型多米诺异或门速度快的优点，又具有P型多米诺异或门漏功耗低的优点；三是由于省去了输入反相器，从而节约了版图面积。
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公开(公告)号：CN201918976U
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201020574314.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/017 , H03K19/096
Abstract: 本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路，包括输入信号端，输出信号端，时钟信号端，休眠信号端，预充管，保持管，时钟管，休眠管，输出静态反相器和下拉网络。保持管，休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管，其余晶体管为低阈值的晶体管；PMOS休眠管的源极接电源，漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极，对于两个NMOS休眠管，一个NMOS休眠管的源极接动态结点，另一个NMOS休眠管的源极接输出端，两个NMOS休眠管的漏极接地电压；用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中，所有PMOS管的衬底接电源电压，所有NMOS管的衬底接地电压。
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公开(公告)号：CN202043092U
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201020574370.3
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/017 , H03K19/096
Abstract: 本实用新型涉及用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路，是种电荷自补偿多米诺电路，即在多米诺电路中加入电荷自补偿通路，利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电，电荷自补偿通路包括：P型时钟控制的自补偿通路，由PMOS管PP，NMOS管NP1和NP2组成，NP1的栅极为时钟信号控制端；N型时钟控制的自补偿通路，由PMOS管PN1和PN2，NMOS管NN组成，PN2的栅极为时钟信号控制端。电荷自补偿通路位于P型动态结点和N型动态结点之间。本实用新型提出的多米诺电路节约充放电功耗，提高电路的性能。
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公开(公告)号：CN205425140U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620142071.X
申请日：2016-02-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种公共浴室管路存水再利用系统，该系统包括智能温控系统、热水源、冷水收集箱、管路；其中，智能温控系统包括电磁阀、时控装置、控制单元，管路包括连接管、喷头管、喷头；其中，热水源与喷头管通过连接管连接，喷头管上均匀对称布置有喷头，各喷头与控制单元连接，喷头管与冷水收集箱之间通过连接管相连；喷头管与冷水收集箱之间的连接管上设有电磁阀，电磁阀通过时控装置与控制单元连接。本系统能智能感知水温，决定水的流向；能定时改变电磁阀的开闭，从而定时放水；将凉水收集起来作为它用而不是将其简单的白白流掉或者是回流到热水箱。
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