公开(公告)号：CN1022526C

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：CN92103289.7

申请日：1992-05-11

申请人： 北京大学

发明人： 张利春 ,  钱钢 ,  阎桂珍 ,  王咏梅 ,  王阳元

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/308

摘要： 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。

公开(公告)号：CN1077569A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：CN93102116.2

申请日：1993-03-04

申请人： 北京大学

发明人： 张利春 ,  钱钢 ,  何美华 ,  王阳元 ,  赵渭江

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L29/70

摘要： 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。

公开(公告)号：CN1028192C

公开(公告)日：1995-04-12

申请号：CN93102116.2

申请日：1993-03-04

申请人： 北京大学

发明人： 张利春 ,  钱钢 ,  何美华 ,  王阳元 ,  赵渭江

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L29/70

摘要： 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。

公开(公告)号：CN1065552A

公开(公告)日：1992-10-21

申请号：CN92103289.7

申请日：1992-05-11

申请人： 北京大学

发明人： 张利春 ,  钱钢 ,  阎桂珍 ,  王咏梅 ,  王阳元

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/308

摘要： 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。