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公开(公告)号：CN102497721A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110386985.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 本发明公开了一种双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用。本发明的装置包括灯丝、热阴极、阳极、双空心阴极、冷阴极、真空室以及磁铁，双空心阴极包括外壁和内衬层，为双层结构。双层空心阴极结构便于拆卸、更换内衬层从而适合对内衬层进行的观测分析，同时满足放电室溅射阴极产生单一或多种金属等离子体的需要。本发明采用在磁镜场操纵下的双空心阴极等离子体溅射模式能够高效率产生单一或多元金属的高密度等离子体和等离子体流，用于金属等离子体辐照材料表面改性和形成高纯高流金属离子束的研究；另一方面，结合各种表面分析技术对双空心阴极内表面的观测与分析，用于磁约束核聚变中的等离子体与器壁之间相互作用的研究。
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公开(公告)号：CN102497721B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110386985.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 本发明公开了一种双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用。本发明的装置包括灯丝、热阴极、阳极、双空心阴极、冷阴极、真空室以及磁铁，双空心阴极包括外壁和内衬层，为双层结构。双层空心阴极结构便于拆卸、更换内衬层从而适合对内衬层进行的观测分析，同时满足放电室溅射阴极产生单一或多种金属等离子体的需要。本发明采用在磁镜场操纵下的双空心阴极等离子体溅射模式能够高效率产生单一或多元金属的高密度等离子体和等离子体流，用于金属等离子体辐照材料表面改性和形成高纯高流金属离子束的研究；另一方面，结合各种表面分析技术对双空心阴极内表面的观测与分析，用于磁约束核聚变中的等离子体与器壁之间相互作用的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102497717A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110381946.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H05H1/10
CPC classification number: Y02E30/126
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体装置的磁铁及等离子体装置。本发明的磁铁包括“回”字形实体的磁轭、在磁轭内部的一对磁极以及包围磁极的金属线圈。其中，磁极的形状为梯台型，磁轭为扁平状。本发明的磁铁具有大间隙、高场强、大磁镜比的特点。梯台型的磁极设计，可以使磁间隙中的磁镜比达到2左右，可以很好的约束等离子体，提高等离子体的稳定性。通过磁轭的结构为扁平状的结构设计，可以使磁铁在相同功耗情况下，在相同的磁间隙中产生的磁场强度最大，节省功率20％-50％，因此实现节省功率的目的。从而实现等离子体装置节能、稳定的运行状态，提高装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN1077569A
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：CN93102116.2
申请日：1993-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/328 , H01L21/82 , H01L27/02 , H01L29/70
Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。
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公开(公告)号：CN101333656B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810116665.3
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种高温结构材料的热障层的制备方法。该方法的步骤是，首先在高温结构材料上镀或涂覆一层抗氧化粘结层；接着，在抗氧化粘结层上镀或涂覆一层隔热陶瓷层；随后，用强脉冲离子束对上述材料的表面进行辐照，使隔热陶瓷层与抗氧化粘结层发生熔融混合形成一过渡层；接着再镀或涂覆一层隔热陶瓷层，制得高温结构材料的热障层。由于本发明在抗氧化粘结层和隔热陶瓷层之间形成了一过渡层，可减少两者之间的失配应力，延长了热障层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101333656A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810116665.3
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种高温结构材料的热障层的制备方法。该方法的步骤是，首先在高温结构材料上镀或涂覆一层抗氧化粘结层；接着，在抗氧化粘结层上镀或涂覆一层隔热陶瓷层；随后，用强脉冲离子束对上述材料的表面进行辐照，使隔热陶瓷层与抗氧化粘结层发生熔融混合形成一过渡层；接着再镀或涂覆一层隔热陶瓷层，制得高温结构材料的热障层。由于本发明在抗氧化粘结层和隔热陶瓷层之间形成了一过渡层，可减少两者之间的失配应力，延长了热障层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN1028192C
公开(公告)日：1995-04-12
申请号：CN93102116.2
申请日：1993-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/328 , H01L21/82 , H01L27/02 , H01L29/70
Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。
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