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公开(公告)号：CN118175719B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410292961.8
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。
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公开(公告)号：CN102497721A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110386985.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 本发明公开了一种双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用。本发明的装置包括灯丝、热阴极、阳极、双空心阴极、冷阴极、真空室以及磁铁，双空心阴极包括外壁和内衬层，为双层结构。双层空心阴极结构便于拆卸、更换内衬层从而适合对内衬层进行的观测分析，同时满足放电室溅射阴极产生单一或多种金属等离子体的需要。本发明采用在磁镜场操纵下的双空心阴极等离子体溅射模式能够高效率产生单一或多元金属的高密度等离子体和等离子体流，用于金属等离子体辐照材料表面改性和形成高纯高流金属离子束的研究；另一方面，结合各种表面分析技术对双空心阴极内表面的观测与分析，用于磁约束核聚变中的等离子体与器壁之间相互作用的研究。
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公开(公告)号：CN1916622A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510086258.9
申请日：2005-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低能散RFQ加速器的加速器质谱装置及相应的加速器质谱14C测量方法，属于加速器质谱技术领域。该加速器质谱装置包括：离子源、聚束器、RFQ加速器、电子剥离器、高能分析系统以及探测器，上述部件按顺序联接，RFQ加速器分别将14C、12C、13C离子加速到一定能量以进行电子剥离，可消除分子离子干扰。本发明用低能散的RFQ加速结构作为14C测量加速器质谱(AMS)系统中的离子加速装置，通过交替改变馈入RFQ加速器的射频功率实现14C、12C、13C三种离子的交替加速。不需要传统AMS中的钢筒、绝缘气体、交替注入系统等，整体结构简化。
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公开(公告)号：CN107731641A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710930194.9
申请日：2017-10-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用光阴极得到极低发射度电子束的发射方法。本发明首次提出采用低温冷却和肖特基效应相结合的方法，将大幅降低碱金属锑化物光阴极的本征发射度，该方法有望将半导体光阴极的本征发射度由0.5～0.8mm.mrad/mm降低到
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561221C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510086258.9
申请日：2005-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于低能散RFQ加速器的加速器质谱装置及相应的加速器质谱14C测量方法，属于加速器质谱技术领域。该加速器质谱装置包括：离子源、聚束器、RFQ加速器、电子剥离器、高能分析系统以及探测器，上述部件按顺序联接，RFQ加速器分别将14C、12C、13C离子加速到一定能量以进行电子剥离，可消除分子离子干扰。本发明用低能散的RFQ加速结构作为14C测量加速器质谱(AMS)系统中的离子加速装置，通过交替改变馈入RFQ加速器的射频功率实现14C、12C、13C三种离子的交替加速。不需要传统AMS中的钢筒、绝缘气体、交替注入系统等，整体结构简化。
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公开(公告)号：CN110288092A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910255905.6
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G06N10/00
Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔，相对于目前所用的矩形腔，有较大优势：品质因数高达1010；并将超导量子比特与超导腔进行耦合，将超导量子比特的退相干时间提高到百毫秒～秒量级，从而为实现对量子比特的操控、测量以及量子存储扫清障碍；本发明将有利于得到长寿命的超导量子比特，对于量子计算，量子存储，量子信息以及量子通讯等各方面都具有重要意义；本发明首次将三维椭球射频超导薄膜腔应用在超导量子计算中，将成熟的超导腔技术与新兴的超导量子计算相结合，把超导量子计算向前推进一步。
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公开(公告)号：CN102497721B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110386985.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 本发明公开了一种双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用。本发明的装置包括灯丝、热阴极、阳极、双空心阴极、冷阴极、真空室以及磁铁，双空心阴极包括外壁和内衬层，为双层结构。双层空心阴极结构便于拆卸、更换内衬层从而适合对内衬层进行的观测分析，同时满足放电室溅射阴极产生单一或多种金属等离子体的需要。本发明采用在磁镜场操纵下的双空心阴极等离子体溅射模式能够高效率产生单一或多元金属的高密度等离子体和等离子体流，用于金属等离子体辐照材料表面改性和形成高纯高流金属离子束的研究；另一方面，结合各种表面分析技术对双空心阴极内表面的观测与分析，用于磁约束核聚变中的等离子体与器壁之间相互作用的研究。
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公开(公告)号：CN118175719A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410292961.8
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。
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公开(公告)号：CN110288092B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910255905.6
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G06N10/00
Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔，相对于目前所用的矩形腔，有较大优势：品质因数高达1010；并将超导量子比特与超导腔进行耦合，将超导量子比特的退相干时间提高到百毫秒～秒量级，从而为实现对量子比特的操控、测量以及量子存储扫清障碍；本发明将有利于得到长寿命的超导量子比特，对于量子计算，量子存储，量子信息以及量子通讯等各方面都具有重要意义；本发明首次将三维椭球射频超导薄膜腔应用在超导量子计算中，将成熟的超导腔技术与新兴的超导量子计算相结合，把超导量子计算向前推进一步。
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