公开(公告)号：CN110288092A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910255905.6

申请日：2019-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  林林 ,  刘克新

IPC: G06N10/00

Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔，相对于目前所用的矩形腔，有较大优势：品质因数高达1010；并将超导量子比特与超导腔进行耦合，将超导量子比特的退相干时间提高到百毫秒～秒量级，从而为实现对量子比特的操控、测量以及量子存储扫清障碍；本发明将有利于得到长寿命的超导量子比特，对于量子计算，量子存储，量子信息以及量子通讯等各方面都具有重要意义；本发明首次将三维椭球射频超导薄膜腔应用在超导量子计算中，将成熟的超导腔技术与新兴的超导量子计算相结合，把超导量子计算向前推进一步。

公开(公告)号：CN118175719B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410292961.8

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  冯立文 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  焦飞 ,  李天一 ,  林林 ,  刘克新 ,  全胜文 ,  王芳 ,  谢华木 ,  徐航 ,  颜学庆 ,  姚泽钦 ,  朱凤 ,  朱昆

IPC: H05H7/20 ,  H05H7/00 ,  H05H7/02 ,  H05H7/22

Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。

公开(公告)号：CN118147629A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410127120.1

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  林林 ,  全胜文 ,  王芳 ,  徐航

IPC: C23C24/04 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  H01P7/06

Abstract: 本发明公开了一种用于射频超导加速腔传导冷却的腔体处理方法，其步骤包括：1)在超导腔内表面沉积铌三锡薄膜，对所得铌三锡薄膜腔在液氦中进行垂直测试；2)对铌三锡薄膜腔进行清洗并抽真空后，向内部充入用于保护气体；3)对超导腔外表面做喷砂处理，便于铜粉沉积；4)采用冷喷涂工艺在喷砂处理后的超导腔外表面覆铜，形成冷喷涂铜层；5)在喷涂完成的超导腔的赤道位置与束管两侧靠近椭球部分的位置进行机械抛光；6)将与超导腔的赤道位置匹配的无氧铜箍环套入固定在超导腔赤道，将在超导腔的两个束管上分别固定一与超导腔束管匹配的无氧铜箍；7)对超导腔上无氧铜箍环、无氧铜箍位置两侧再次进行冷喷涂铜处理，形成二次冷喷涂铜层。

公开(公告)号：CN118175719A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410292961.8

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 任满乾 ,  冯立文 ,  郝建奎 ,  黄森林 ,  焦飞 ,  李天一 ,  林林 ,  刘克新 ,  全胜文 ,  王芳 ,  谢华木 ,  徐航 ,  颜学庆 ,  姚泽钦 ,  朱凤 ,  朱昆

IPC: H05H7/20 ,  H05H7/00 ,  H05H7/02 ,  H05H7/22

Abstract: 本发明公开了一种传导冷却型DC‑SRF电子枪，其特征在于，包括基于传导冷却技术的低温恒温器、阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件；其中，所述低温恒温器用于为阴极、直流高压组件、功率馈入系统、射频超导腔组件提供低温无磁真空的环境；所述阴极用于产生电子束并输入到直流高压组件；所述直流高压组件用于将电子束引至射频超导腔组件的射频超导腔内；所述功率馈入系统与射频超导腔连接，用于在射频超导腔内建立射频电磁场；所述射频超导腔组件对从直流高压组件引出的电子束进行加速。本发明使用小型低温制冷机代替传统的液氦系统，利用合理的传导冷却结构使超导电子枪在连续波模式下稳定工作，大大扩展超导电子枪的用途。

公开(公告)号：CN110288092B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201910255905.6

申请日：2019-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  林林 ,  刘克新

IPC: G06N10/00

Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔，相对于目前所用的矩形腔，有较大优势：品质因数高达1010；并将超导量子比特与超导腔进行耦合，将超导量子比特的退相干时间提高到百毫秒～秒量级，从而为实现对量子比特的操控、测量以及量子存储扫清障碍；本发明将有利于得到长寿命的超导量子比特，对于量子计算，量子存储，量子信息以及量子通讯等各方面都具有重要意义；本发明首次将三维椭球射频超导薄膜腔应用在超导量子计算中，将成熟的超导腔技术与新兴的超导量子计算相结合，把超导量子计算向前推进一步。