发明授权
CN1022526C 硅的深槽刻蚀方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 硅的深槽刻蚀方法
- 专利标题（英）： Etch process for silicon deep groove
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申请号： CN92103289.7申请日： 1992-05-11
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公开(公告)号： CN1022526C公开(公告)日： 1993-10-20
- 发明人: 张利春 , 钱钢 , 阎桂珍 , 王咏梅 , 王阳元
- 申请人： 北京大学
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村
- 专利权人： 北京大学
- 当前专利权人： 北京大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村
- 代理机构： 北京大学专利事务所
- 代理商 郑胜利
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; H01L21/308
摘要：
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
公开/授权文献
- CN1065552A 硅的深槽刻蚀技术 公开/授权日：1992-10-21
IPC分类:
