公开(公告)号：CN101364249A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200710119979.4

申请日：2007-08-06

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 李自然 ,  李坤 ,  盛娜

IPC: G06F21/00 ,  G06F12/14 ,  G06K19/073

Abstract: 本发明公开了一种安全算法保护的方法，主要应用于信息安全领域，如USBKey、PKI智能卡等。通过采用高级的数据流加解密和存储器安全保护技术，实现对安全算法从数据传输到调用执行等环节的多级保护，从而防止安全算法中知识产权或者保密数据的泄露。

公开(公告)号：CN110907803A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911148824.2

申请日：2019-11-21

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 姜京哲 ,  鲁小妹 ,  盛娜 ,  王慧

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种在ATE上可实现7816接口通讯同步测试的方法，通过该方法，可以在ATE上对应答不同步的芯片实现同步测试，从而在量产中实现7816接口通讯的同步测试。

公开(公告)号：CN109143023A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810670277.3

申请日：2018-06-26

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵来钖 ,  盛娜 ,  李焕春

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2851

Abstract: 本发明涉及LSI(内嵌CPU)筛选测试领域，提供了一种IDDQ测试图形设计方法。使用CPU(300)指令控制寄存器(301)以及存储器(302)，把其分别设置为DEFAULT、00、55、AA、FF状态，实现部分寄存器(301)、存储器(302)、组合电路A(304)的相关连线出现电位差异状态。使用CPU指令控制使组合电路A(304)工作，使不直接受CPU控制的寄存器(305)翻转到不同状态，实现寄存器(305)、组合电路B(306)相关连线(307)出现电位差异状态。从而实现高覆盖率IDDQ测试图形设计。在每种不同状态下使用CPU指令使芯片进入最低功耗模式后测试电源(308)电流。此方法在不追加电路设计及面积成本的前提下，实现IDDQ测试筛选，有效提高测试筛选覆盖率。可广泛用于高可靠性LSI筛选。

公开(公告)号：CN106445851A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610739399.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 蒙卡娜 ,  盛娜

IPC: G06F13/24

CPC classification number: G06F13/24

Abstract: 以Flash为主存储器的NFC-SIM芯片在Flash擦写期间CPU无法读取存储在Flash中的程序，无法响应接口中断，会影响NFC-SIM芯片的接口响应能力。为了解决此问题，本发明提出了一种提高Flash NFC-SIM芯片接口响应能力的实现方法。在接口产生需要CPU快速响应的中断时，产生Flash擦写中止请求信号，中止Flash擦写操作后CPU恢复运行，快速响应中断，之后再通过判断Flash擦写中止标志启动恢复Flash擦写操作。通过采用该方法，使Flash NFC-SIM芯片能够支持7816和SWP接口并行进行Flash擦写操作，有效提高了Flash擦写期间的接口响应能力。