公开(公告)号：CN111220902A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010137844.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 鲁小妹 ,  姜京哲

IPC: G01R31/28 ,  G01B21/00 ,  G06F30/398

Abstract: 本发明公开了一种基于集成电路圆片坐标分区的工程分析评估、测试验证的方法。在芯片级进行工程分析的整个流程会包含圆片加工、圆片测试、样片封装、样片验证、样片性能分析等多个环节。本发明所述的方法能够有效提升多因素组合调试项的验证和评估的效率。本方法基于圆片坐标分区方案的设计，在圆片测试阶段将一枚圆片上的芯片分区执行不同的组合调试项,并通过map图后处理,实现各类芯片的差异化标记,最终实现封装后芯片的分类验证和评估。此方法的好处在于可将串行的验证转为并行,同时可以有效避免不同圆片间的工艺差异出现的局部特征失效图形影响最终评估结论的问题。而且还降低了圆片测试程序开发的难度，更容易实现。

公开(公告)号：CN110907803A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911148824.2

申请日：2019-11-21

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 姜京哲 ,  鲁小妹 ,  盛娜 ,  王慧

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种在ATE上可实现7816接口通讯同步测试的方法，通过该方法，可以在ATE上对应答不同步的芯片实现同步测试，从而在量产中实现7816接口通讯的同步测试。

公开(公告)号：CN114355151A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111395035.6

申请日：2021-11-23

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 姜京哲 ,  赵来钖 ,  张楠

IPC: G01R31/28 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片双温trim测试方法，使芯片在常温下完成第一次trim后，将中间测试结果存储到flash中供高温trim使用，之后切换到高温下再完成第二次trim，使芯片在常温/高温下的表现都能达到预期。