一种基于波导包层切换机制的可调模式转换器

    公开(公告)号:CN114966972B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202210573509.X

    申请日:2022-05-25

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导包层切换机制的可调模式转换器,包括包括条形输入波导,条形到亚波长光栅波导的转换器,亚波长光栅波导与条形多模波导组成的非对称模式耦合器,以及输出波导和条形波导到输出波导的渐变过渡耦合器。其中,非对称模式耦合器区域的亚波长光栅波导和条形多模波导的上包层区域为可切换的,使用不同折射率的液体浸没作为上包层。光从条形波导输入并进入亚波长光栅波导的基模,在不同折射率液体的上包层时满足不同的相位匹配条件,从而通过非对称模式耦合器激励起条形多模波导中的不同高阶模式,并由波导输出,实现由波导包层控制切换的可调模式转换功能。

    一种基于光学模式的异或和同或逻辑运算单元

    公开(公告)号:CN112180653B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202011093423.4

    申请日:2020-10-14

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光学模式的异或和同或逻辑运算单元,包括一组支持多模式传输的输入波导和输出波导以及两组受操作数信号控制的动态模式变换器件;单一模式的输入光源作为载波,依次经过两组模式变换器件,通过每个操作数分别控制模式变换器件对输入模式是否发生转换为另一种模式,在输出波导处分别探测每种模式的分量,通过一次光的传播与收集即可同时获得异或和同或的逻辑运算结果。该逻辑运算单元可在相同的波长内使用不同的波导模式来计算,降低整个光逻辑回路的成本;同时,对输入的波长及环境温度变化均不敏感。可采用多种材料平台实现,并根据调制方式的不同可实现电光与全光的异或和同或的并行逻辑运算。

    一种基于光学模式的异或和同或逻辑运算单元

    公开(公告)号:CN112180653A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011093423.4

    申请日:2020-10-14

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光学模式的异或和同或逻辑运算单元,包括一组支持多模式传输的输入波导和输出波导以及两组受操作数信号控制的动态模式变换器件;单一模式的输入光源作为载波,依次经过两组模式变换器件,通过每个操作数分别控制模式变换器件对输入模式是否发生转换为另一种模式,在输出波导处分别探测每种模式的分量,通过一次光的传播与收集即可同时获得异或和同或的逻辑运算结果。该逻辑运算单元可在相同的波长内使用不同的波导模式来计算,降低整个光逻辑回路的成本;同时,对输入的波长及环境温度变化均不敏感。可采用多种材料平台实现,并根据调制方式的不同可实现电光与全光的异或和同或的并行逻辑运算。

    一种基于模式复用的可重构导向逻辑器件

    公开(公告)号:CN109491175A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201910036235.9

    申请日:2019-01-15

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于模式复用的可重构导向逻辑器件,括依次相连接的解复用器、微环阵列和复用器;解复用器包括三个S型波导以及依次相连的四根直波导,相邻直波导通过绝热锥相连;微环阵列包括并排设置的宽度相同的四根直波导,每根直波导上均耦合有一组微环组,该微环组由间隔设置的第一微环和第二微环组成;复用器(3)包括三个S型波导以及依次相连的四根直波导;相邻直波导之间通过绝热锥相连。该逻辑器件既能解决普通导向逻辑器件只能实现单一逻辑运算的问题,又能解决基于波分复用的可重构导向逻辑器件的需要多个激光器的问题,可以实现任意的逻辑运算,从源头上极大的降低了成本,在光信息处理中有很好的应用前景。

    基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105006488B

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201510386091.1

    申请日:2015-07-05

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法,栅电极采用厚度为100~300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底;形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层;嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅,作为电荷存储单元;形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层;在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料,形成器件的有源层;在有源层表面,通过金属掩膜真空蒸镀金属,形成器件的源极、漏极。本发明的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压,实现器件的高密度存储,提高器件保持特性,降低器件制造成本。

    一种纳米颗粒的分离方法及装置

    公开(公告)号:CN105834004B

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201610401673.7

    申请日:2016-06-11

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及一种分离方法及分离装置,确切讲本发明涉及一种可用于分离纳米颗粒的分离方法及分离装置。本发明的方法是:将被分离的纳米颗粒从位于圆心附近的喷嘴喷向一个可转动的筒体壁,且可转动的筒体壁与喷嘴间设立一个直流电场,在电场力的作用下纳米颗粒附着于可转动的筒体壁上,且不同质量的纳米颗粒间的距离以下式给出的间隔分布,采用本发明可以分离不同种类的纳米颗粒,而且不受被分离的纳米颗粒尺寸的限制,分离量可自行调节,分离效果好,并可使分离效率大幅提高。

    基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管

    公开(公告)号:CN106449745A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610847814.8

    申请日:2016-09-23

    Applicant: 兰州大学

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/0684 H01L29/1029

    Abstract: 本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元,其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3~0.7um,掺杂浓度为5×1014~1×1015cm-3,隐埋层厚度为0.4~0.6um。本发明的器件能够在保持结构、材料以及工艺等互相影响的制造参数不变的情况下,通过改变独立的参数,来调控SIT的电学参数从而调控SIT的输出特性,从而制备出性能优良的SIT。

    一种基于pn结的逻辑运算器件

    公开(公告)号:CN106067798A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201610517487.X

    申请日:2016-07-04

    Applicant: 兰州大学

    CPC classification number: H03K17/56 H03K19/20

    Abstract: 本发明公开一种基于pn结的基本元件,和用这种元件构成的可用于实现逻辑电路运算的器件。本发明的一种基于pn结的可构成逻辑运算器件的元件,由pn结和位于pn结外的位于绝缘层上的电极构成,它由在pn结之上设置一个绝缘层和位于绝缘层之上的电极构成的栅极,位于pn结外的p型区域和n型区域分别接信号的接线端构成。由本发明的这种器件可构成不同的逻辑运算的器件。本发明的元器件结构简单,继承了传统的硅工艺,不需要其他特殊的工艺,与传统的BJT和MOSFET相比体积更加微小,可实现更高的集成度,而且本发明用于逻辑运算电路,既可以用电压驱动,也可以用电流驱动,且驱动电压和电流比较低,具有广阔的应用前景。

    一种表面栅型静电感应晶体管

    公开(公告)号:CN104810395A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201510182834.3

    申请日:2015-04-16

    Applicant: 兰州大学

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/1029 H01L29/66416

    Abstract: 本发明涉及一种小功率的常关型表面栅型静电感应晶体管(SIT)及制造方法。本发明的晶体管由:漏极、位于漏极之上的N+低阻单晶的衬底、位于N+低阻单晶的衬底之上的N-高阻外延层和位于N-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成,其中的有源区采用短沟道设计。本发明的器件可在相应的工艺支持下使器件栅体杂质浓度高且杂质分布更加均匀,降低了栅体自身的压降,增加了栅控灵敏度,提高了器件跨导,同时栅源面积减小,降低栅源寄生电容,增大SIT工作频率。相对于现有技术,本发明的短沟道设计取得了彻底的革命性的改进。

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