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公开(公告)号：CN109648694A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910121880.0
申请日：2019-02-19
Applicant: 兰州交通大学
IPC: B28B11/08
Abstract: 本发明的实施例公开了一种盾构水泥管片曲面抹光机，该盾构水泥管片曲面抹光机包括框架组件、平移机构、滑动机构、重力平衡机构、旋转机构、升降机构及抹光机构，所述平移机构设置在所述框架组件顶部；所述滑动机构设置在所述平移机构上，能够通过所述平移机构相对于所述框架组件移动；所述升降机构的一端铰接于所述滑动机构，另一端连接于所述抹光机构；所述重力平衡机构的一端连接于所述升降机构，用于使抹光机构保持对抹光曲面的微压力状态，另一端设置在所述升降机构一侧，通过配重块牵引升降机构；所述旋转机构一端连接于所述滑动机构，另一端连接于所述升降机构。该盾构水泥管片曲面抹光机能够高效率抹光曲面。
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公开(公告)号：CN114481073A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210157013.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及一种多功能基础与应用研究复合型物理气相沉积系统，该系统包括置于支撑平台上的反应腔体以及与反应腔体相连的真空机组和电控柜。反应腔体的顶部为平面，中心设功能转换法兰接口，该功能转换法兰接口上安装带电弧靶的多弧离子镀或带2个铜电极的热蒸发沉积；反应腔体的侧面设有平面/圆柱磁控靶、4个圆形平面磁控靶；反应腔体内设有一组不锈钢极板；反应腔体内的底部一侧设有连有电动机的传动轴；传动轴上设传动齿轮、两个定位销Ⅰ；反应腔体内的底部设大齿轮，顶部设样品架底盘；样品架底盘上均布有6个自转轴，该自转轴的顶端设样品架顶盘；每个自转轴上设一个自转齿轮。本发明经济实用，可用于制备多领域的功能性薄膜材料。
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公开(公告)号：CN100516282C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710017500.6
申请日：2007-03-06
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及一种镁或镁合金表面强化的制备方法，特别涉及镁合金表面真空镀层的制备方法。其主要特点是包括有如下步骤(1)预处理：在非水溶液环境下，直接利用机械打磨进行除锈、除油处理，镁或镁合金的基体温度为180℃以下；(2)采用惰性气体冲洗，其压力为5-10MPa；速度为5-10s/cm2；采用惰性气体可防止氧化，并能将材料表面的浮尘去除。(3)在惰性气体冲洗完后，在1-10min之内送入真空镀膜设备内进行镀膜。本发明的优点是镁合金表面真空镀膜处理预处理工艺，经过该工艺处理后，能大大提高镁合金在PVD处理时与金属膜层的结合力，同时克服了常规化学工艺带来的过腐蚀现象和由于镁合金表面结构缺陷导致水残留致使的“发泡”现象。保证了膜层的质量。
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公开(公告)号：CN101404304A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810210052.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜组件的制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10－4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN109648694B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910121880.0
申请日：2019-02-19
Applicant: 兰州交通大学
IPC: B28B11/08
Abstract: 本发明的实施例公开了一种盾构水泥管片曲面抹光机，该盾构水泥管片曲面抹光机包括框架组件、平移机构、滑动机构、重力平衡机构、旋转机构、升降机构及抹光机构，所述平移机构设置在所述框架组件顶部；所述滑动机构设置在所述平移机构上，能够通过所述平移机构相对于所述框架组件移动；所述升降机构的一端铰接于所述滑动机构，另一端连接于所述抹光机构；所述重力平衡机构的一端连接于所述升降机构，用于使抹光机构保持对抹光曲面的微压力状态，另一端设置在所述升降机构一侧，通过配重块牵引升降机构；所述旋转机构一端连接于所述滑动机构，另一端连接于所述升降机构。该盾构水泥管片曲面抹光机能够高效率抹光曲面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404304B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810210052.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜组件的制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10-4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN101582470A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910145260.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , H01L21/283
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜组件的制备方法。一种单晶硅薄膜组件的制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1－5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99％的高纯硅块体，溅射时功率密度为1－10W/cm2，靶和基底的距离为50－300mm，镀膜时，真空室体的温度为100－160℃，在工件和真空室体间加占空比为40－80％的200－1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5－5μm。(4)导电透明电极制备。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。
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公开(公告)号：CN101240423A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710307219.6
申请日：2007-12-30
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 汽车轮毂表面真空镀膜处理工艺，包括预处理、表面喷涂、离子清洗、真空镀膜及保护层制备步骤完成，本发明轮毂表面的金属层通过真空镀膜的方法沉积，避免了大量水资源的消耗、大量含重金属废水的产生以及由此产生的额外的成本；其次，除节约大量的贵金属外，由于油漆的流平作用，降低传统工艺的成本，同时简化了工艺，提高了效率，减轻了工人的劳动强度；再次，由于保护层与金属层的制备在同一真空实体中进行，避免了额外的工序，节约了劳动时间，制备的保护膜化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性，保证了轮毂的色泽；采用离子清洗，保证了膜层良好的结合力，大大提高了汽车轮毂的品质。
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公开(公告)号：CN101086057A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710017500.6
申请日：2007-03-06
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及一种镁及其合金表面强化的制备方法，特别涉及镁合金表面真空镀层的制备方法。一种镁及其合金表面真空镀层的制备方法，其主要特点是包括有如下步骤(1)预处理：在非水溶液环境下，直接利用机械打磨进行除锈、除油处理，镁及其合金的基体温度为180℃以下；(2)采用惰性气体冲洗，其压力为5－10MPa；速度为5－10s/cm2；采用惰性气体可防止氧化，并能将材料表面的浮尘去除。(3)在惰性气体冲洗完后，在1－10min之内送入真空镀膜设备内进行镀膜。本发明的优点是镁合金表面真空镀膜处理预处理工艺，能保证镁合金在真空镀膜时镁及合金与镀层结合力的同时不会对工件产生过腐蚀。经过该工艺处理后，能大大提高镁合金在PVD处理时与金属膜层的结合力，同时克服了常规化学工艺带来的过腐蚀现象和由于镁合金表面结构缺陷导致水残留致使的“发泡”现象。保证了膜层的质量。
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公开(公告)号：CN100585030C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710018889.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1-5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99%的高纯硅块体，溅射时功率密度为1-10W/cm2，靶和基底的距离为50-300mm，镀膜时，真空室体的温度为100-160℃，在工件和真空室体间加占空比为40-80%的200-1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5-5μm。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。
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