-
公开(公告)号：CN103364972A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210091260.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: H01F7/0273 , G02F1/093
Abstract: 本发明提供一种小型化的1μm带宽光隔离器，它适合作为激光加工等用途中使用的大功率激光器，譬如光纤激光器中的光隔离器。该1μm带宽光隔离器包括：法拉第转子，其在波长1.06μm下的费尔德常数为0.27min/(Oe*cm)以上；第1中空磁铁，被配置在上述法拉第转子的外周；以及第2及第3中空磁铁单元，在光轴上配置成将第1中空磁铁夹在中间。其特征在于：第2及第3中空磁铁单元，由沿与光轴方向成90度角的方向均等分割而得到的两个以上的磁铁构成；施加到所述法拉第转子上的磁通密度B(Oe)在下式(1)的范围之内；所述法拉第转子所配置的光路长L(cm)在下式(2)的范围之内。0.5×104≤B≤1.5×104 (1)，0.70≤L≤1.10 (2)。
-
公开(公告)号：CN112888989B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201980069289.3
申请日：2019-10-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种光隔离器，所述光隔离器(100)含有：包含三价离子取代TAG(铽铝石榴石)的法拉第旋转片(3)；及配置在所述法拉第旋转片(3)周围的中央空心磁体(5)、以及沿光轴方向夹持所述中央空心磁体而配置的第一空心磁体单元(6)及第二空心磁体单元(7)，将所述法拉第旋转片中的磁通密度设为B[T]、并将配置所述法拉第旋转片的光路长度设为L[mm]时，满足：0＜B(1)、14.0≤L≤24.0(2)。由此，可提供一种与如铽镓石榴石(TGG)晶体这种以往的法拉第旋转片相比，有助于减弱高功率光纤激光器中尚未解决的热透镜效应的光隔离器。
-
公开(公告)号：CN104145209A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060030.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02B27/28
CPC classification number: G02F1/093 , G02B27/281 , H01F7/0273 , H01S5/0064
Abstract: 本发明提供一种小型光隔离器，适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。一种光隔离器，是用于320nm～633nm波长带，其特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，第1中空磁铁配置于法拉第转子的外周，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元是在光轴上夹着第1中空磁铁而配置，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元包含相对于光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)，0.25≦L≦0.45 (2)。
-
公开(公告)号：CN104280901B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410332275.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , G02F1/0036
Abstract: 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1 (1)B≦0.5×104 (2)。(2)的范围内。(TbxR1-x)2O3 (I) 在上式(I)中，
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103309060B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201210291280.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种在激光加工用途中使用小型化的高消光比的光组件,例如光纤维激光使用的光隔离器用的小型的高消光比的光组件。该光组件,包括在波长1．06μｍ的维德常数为0．27ｍｉｎ／（Ｏｅ·ｃｍ）以上的法拉第转子以及在上述法拉第转子的外周配置的中空磁铁，其特征在于:在所述法拉第转子上施加的磁通密度Ｂ（Ｏｅ）在下述式（1）的范围内，所述法拉第转子的样品长度Ｌ（ｃｍ）在下述式（2）的范围内，所述法拉第转子的外径Ｄ（ｃｍ）在下述式（3）的范围内,并且,具有1dB以下的插入损耗以及35dB以上的消光比。0．5×104≦Ｂ≦1．5×104（1）0．70≦Ｌ≦1．10（2）0．20≦Ｄ≦0．60（3）。
-
公开(公告)号：CN103502180A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021227.3
申请日：2012-03-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/445 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , C04B2235/762 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/9653 , G02F1/0036
Abstract: 一种透明陶瓷，所述透明陶瓷以氧化铽(化学式：Tb2O3)、及选自钇氧化物、钪氧化物及镧系稀土类氧化物的至少一种氧化物为主成分，氧化铽以摩尔比计为40%以上，其中，(1)所述氧化铽系陶瓷的晶体结构不含有立方晶以外的异相，(2)平均晶粒粒径在0.5～100μm的范围，(3)含有不使所述氧化铽系陶瓷的晶体结构中立方晶以外的异相析出的烧结助剂。本发明的透明陶瓷能够提供具有与现有的铽镓石榴石等这样的单晶材料同等或更好性能的磁光元件。在光学损失、光学均匀性上，双折射成分非常少，散射也非常少，能够提供500nm以上1.5μm以下的红外线区域的光隔离器中的功能元件。
-
公开(公告)号：CN112888989A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069289.3
申请日：2019-10-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种光隔离器，所述光隔离器(100)含有：包含三价离子取代TAG(铽铝石榴石)的法拉第旋转片(3)；及配置在所述法拉第旋转片(3)周围的中央空心磁体(5)、以及沿光轴方向夹持所述中央空心磁体而配置的第一空心磁体单元(6)及第二空心磁体单元(7)，将所述法拉第旋转片中的磁通密度设为B[T]、并将配置所述法拉第旋转片的光路长度设为L[mm]时，满足：0＜B(1)、14.0≤L≤24.0(2)。由此，可提供一种与如铽镓石榴石(TGG)晶体这种以往的法拉第旋转片相比，有助于减弱高功率光纤激光器中尚未解决的热透镜效应的光隔离器。
-
公开(公告)号：CN104280901A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410332275.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , G02F1/0036
Abstract: 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内。(TbxR1-x)2O3(I)在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1(1)B≦0.5×104(2)。
-
公开(公告)号：CN103309060A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210291280.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种在激光加工用途中使用小型化的高消光比的光组件,例如光纤维激光使用的光隔离器用的小型的高消光比的光组件。该光组件,包括在波长1．06μｍ的维德常数为0．27ｍｉｎ／（Ｏｅ·ｃｍ）以上的法拉第转子以及在上述法拉第转子的外周配置的中空磁铁，其特征在于:在所述法拉第转子上施加的磁通密度Ｂ（Ｏｅ）在下述式（1）的范围内，所述法拉第转子的样品长度Ｌ（ｃｍ）在下述式（2）的范围内，所述法拉第转子的外径Ｄ（ｃｍ）在下述式（3）的范围内,并且,具有1dB以下的插入损耗以及35dB以上的消光比。0．5×104≦Ｂ≦1．5×104 （1）,0．70≦Ｌ≦1．10 （2）,0．20≦Ｄ≦0．60 （3）。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
