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    制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法
    2.
    发明公开
    制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法 有权

    公开(公告)号：CN110467453A

    公开(公告)日：2019-11-19

    申请号：CN201910386537.9

    申请日：2019-05-10

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 碇真宪 ,  松本卓士

    IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/443 ,  C04B35/622 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24

    Abstract: 本发明涉及一种制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法。制造用于烧结的陶瓷成型体的方法包括通过等静压将含陶瓷粉末和具有高于室温的玻璃化转变温度的热塑性树脂的原材料粉末成型成预定形状，其中通过将陶瓷粉末与热塑性树脂添加到溶剂中以使热塑性树脂以陶瓷粉末和热塑性树脂的总重量的2重量％至40重量％的量存在制备原料粉浆，通过将原料粉浆湿料浇注成预定形状来形成浇注成型体，干燥并在低于热塑性树脂的玻璃化转变温度的温度下施以第一阶段等静压成型以形成第一阶段压制成型体，随后将该一阶段压制成型体加热到热塑性树脂的玻璃化转变温度以上的温度，并进行温等静压(WIP)成型作为第二阶段等静压成型以制造陶瓷成型体。

    光隔离器
    3.
    发明授权
    光隔离器 有权

    公开(公告)号：CN112888989B

    公开(公告)日：2023-08-08

    申请号：CN201980069289.3

    申请日：2019-10-02

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 矢作晃 ,  碇真宪 ,  松本卓士

    IPC: G02B27/28 ,  G02F1/09

    Abstract: 本发明为一种光隔离器，所述光隔离器(100)含有：包含三价离子取代TAG(铽铝石榴石)的法拉第旋转片(3)；及配置在所述法拉第旋转片(3)周围的中央空心磁体(5)、以及沿光轴方向夹持所述中央空心磁体而配置的第一空心磁体单元(6)及第二空心磁体单元(7)，将所述法拉第旋转片中的磁通密度设为B[T]、并将配置所述法拉第旋转片的光路长度设为L[mm]时，满足：0＜B(1)、14.0≤L≤24.0(2)。由此，可提供一种与如铽镓石榴石(TGG)晶体这种以往的法拉第旋转片相比，有助于减弱高功率光纤激光器中尚未解决的热透镜效应的光隔离器。

    磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件
    5.
    发明授权
    磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件 有权

    公开(公告)号：CN107406333B

    公开(公告)日：2021-02-23

    申请号：CN201680014848.7

    申请日：2016-03-10

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 松本卓士 ,  碇真宪

    IPC: C04B35/50 ,  C30B29/22 ,  G02B1/02 ,  G02B27/28

    Abstract: 作为不会吸收波长范围0.9～1.1μm的光纤激光，因此适于构成抑制了热透镜的产生的光隔离器等磁光学器件的透明的磁光学材料，提供由包含下述式(1)所示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或下述式(1)所示的复合氧化物的单晶构成的磁光学材料。Tb2xR2(2‑x)O8‑x(1)(式中，为0.800＜x＜1.00，R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素(其中，对于硅、锗和钽，不包括为所述元素单独的情形)。

    制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法
    6.
    发明授权
    制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法 有权

    公开(公告)号：CN110467453B

    公开(公告)日：2023-03-03

    申请号：CN201910386537.9

    申请日：2019-05-10

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 碇真宪 ,  松本卓士

    IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/443 ,  C04B35/622 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24

    Abstract: 本发明涉及一种制备用于烧结的陶瓷成型体的方法和制造陶瓷烧结体的方法。制造用于烧结的陶瓷成型体的方法包括通过等静压将含陶瓷粉末和具有高于室温的玻璃化转变温度的热塑性树脂的原材料粉末成型成预定形状，其中通过将陶瓷粉末与热塑性树脂添加到溶剂中以使热塑性树脂以陶瓷粉末和热塑性树脂的总重量的2重量％至40重量％的量存在制备原料粉浆，通过将原料粉浆湿料浇注成预定形状来形成浇注成型体，干燥并在低于热塑性树脂的玻璃化转变温度的温度下施以第一阶段等静压成型以形成第一阶段压制成型体，随后将该一阶段压制成型体加热到热塑性树脂的玻璃化转变温度以上的温度，并进行温等静压(WIP)成型作为第二阶段等静压成型以制造陶瓷成型体。

    磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件
    7.
    发明公开
    磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件 有权

    公开(公告)号：CN107406333A

    公开(公告)日：2017-11-28

    申请号：CN201680014848.7

    申请日：2016-03-10

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 松本卓士 ,  碇真宪

    IPC: C04B35/50 ,  C30B29/22 ,  G02B1/02 ,  G02B27/28

    Abstract: 作为不会吸收波长范围0.9～1.1μm的光纤激光，因此适于构成抑制了热透镜的产生的光隔离器等磁光学器件的透明的磁光学材料，提供由包含下述式(1)所示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或下述式(1)所示的复合氧化物的单晶构成的磁光学材料。Tb2xR2(2-x)O8-x(1)(式中，为0.800＜x＜1.00，R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素(其中，对于硅、锗和钽，不包括为所述元素单独的情形)）。

    磁光学元件用透明陶瓷以及磁光学元件
    8.
    发明公开
    磁光学元件用透明陶瓷以及磁光学元件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118401488A

    公开(公告)日：2024-07-26

    申请号：CN202280082921.X

    申请日：2022-10-27

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 田中惠多 ,  松本卓士 ,  碇真宪

    IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  G02F1/09

    Abstract: 本发明涉及一种磁光学元件用透明陶瓷，其包含：下列式(1)所示的含有铽、镥和铝的顺磁性石榴石型复合氧化物，以及作为烧结助剂的100质量ppm至1000质量ppm的Si。(Tb1‑xLux)3Al5O12……(1)，式中0.05≤x≤0.45。本发明的磁光学元件是光隔离器，其包括作为法拉第转子(110)的磁光学元件用透明陶瓷以及在光学轴(102)上的法拉第转子前后的偏振器(120)和检偏器(130)，并且其可以在0.9至1.1μm的波长范围使用。

    顺磁性石榴石型透明陶瓷、磁光学材料和磁光学器件
    9.
    发明公开
    顺磁性石榴石型透明陶瓷、磁光学材料和磁光学器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118201890A

    公开(公告)日：2024-06-14

    申请号：CN202280074315.3

    申请日：2022-10-27

    Applicant: 信越化学工业株式会社

    Inventor： 碇真宪 ,  松本卓士 ,  田中惠多

    IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  G02B27/28 ,  G02F1/09

    Abstract: 提供顺磁性石榴石型透明陶瓷，其为由下述式(1)表示的复合氧化物的烧结体，其中，作为烧结助剂，含有大于0质量％且0.1质量％以下的SiO2，平均烧结粒径为5μm以上，光程长25mm的波长1064nm下的全光线透射率为84.0％以上，并且前向散射为0.5％以下，进而光程长25mm的波长1300nm下的全光线透射率为84.0％以上，并且前向散射为0.5％以下，该陶瓷真正地透明，光学均质性高。(Tb1‑x‑yYxScy)3(Al1‑zScz)5O12(1)(式中，0.05≤x≤0.4、0≤y＜0.004、0.6≤1‑x‑y＜0.95、0≤z＜0.004、0.001＜y+z＜0.005。)。

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