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公开(公告)号：CN104145209A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060030.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02B27/28
CPC classification number: G02F1/093 , G02B27/281 , H01F7/0273 , H01S5/0064
Abstract: 本发明提供一种小型光隔离器，适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。一种光隔离器，是用于320nm～633nm波长带，其特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，第1中空磁铁配置于法拉第转子的外周，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元是在光轴上夹着第1中空磁铁而配置，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元包含相对于光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)，0.25≦L≦0.45 (2)。
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公开(公告)号：CN104280901A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410332275.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , G02F1/0036
Abstract: 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内。(TbxR1-x)2O3(I)在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1(1)B≦0.5×104(2)。
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公开(公告)号：CN103189549A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180048214.0
申请日：2011-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G02F1/0955 , C01F17/0018 , C01F17/0043 , C01P2002/50 , C01P2006/60 , C30B13/24 , C30B15/08 , C30B29/22 , G02B1/00 , G02F1/0036 , H01S3/0064
Abstract: 本发明的目的在于，提供波长1.06μm区域(0.9～1.1μm)中的费尔德常数大并且具有高透明性的、含有包含氧化铽的氧化物作为主要成分的磁光材料，以及提供适合用于加工机用光纤激光的小型化的光隔离器。本发明的磁光材料，其特征在于，其含有99％以上的下式(I)所示的氧化物。(TbxR1-x)2O3(I)(式(I)中，x为0.4≤x≤1.0，R包含选自钪、钇、除铽以外的镧系元素所组成的组中的至少一种元素。)
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公开(公告)号：CN110240480A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910173615.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622 , G02F1/00 , G02F1/09
Abstract: 本发明涉及一种透明陶瓷、其制造方法和磁光学设备。通过下述操作制造透明陶瓷材料：将原料粉末成型为成型体，该原料粉末包括稀土氧化物和烧结助剂，该稀土氧化物由至少40mol％的氧化铽和余量的其他稀土氧化物组成；通过以至少100℃/h的速率从室温加热至T1(1200℃≤T1≤T)和任选地以1-95℃/h的速率从T1加热在温度T(1,300℃≤T≤1,650℃)下将该成型体烧结；和在1,300-1,650℃下对烧结的成型体进行HIP处理。该陶瓷材料在可见区域中具有改善的漫透射率并且在从可见区域至NIR区域的宽范围中作为磁光学部件发挥功能。
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公开(公告)号：CN103708839B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310460141.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/9653 , C09K11/7769 , H01J5/04 , H01J9/247 , H01J61/302 , H01S3/1685
Abstract: 提供一种制造透明倍半氧化物烧结体的方法以及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体，通过该方法可以稳定的方式制造质量在实用水平的透明的M2O3型倍半氧化物烧结体。制备包括至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素的氧化物颗粒和Zr氧化物颗粒的粉末作为原料粉末，其中在稀土元素氧化物颗粒的粒径分布中，或在稀土元素氧化物颗粒聚集形成二次颗粒的情况下的二次颗粒的粒径分布中，粒径D2.5为180nm‑2000nm，包括端点，在粒径D2.5，从最小粒径侧积累的颗粒量是基于总颗粒量的2.5％。将原料粉末压制成型为预定形状，之后进行烧结，由此制造透明的M2O3型倍半氧化物烧结体（M是至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103189549B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180048214.0
申请日：2011-10-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G02F1/0955 , C01F17/0018 , C01F17/0043 , C01P2002/50 , C01P2006/60 , C30B13/24 , C30B15/08 , C30B29/22 , G02B1/00 , G02F1/0036 , H01S3/0064
Abstract: 本发明的目的在于，提供波长1.06μm区域(0.9～1.1μm)中的费尔德常数大并且具有高透明性的、含有包含氧化铽的氧化物作为主要成分的磁光材料，以及提供适合用于加工机用光纤激光的小型化的光隔离器。本发明的磁光材料，其特征在于，其含有99％以上的下式(I)所示的氧化物。(TbxR1‑x)2O3(I)(式(I)中，x为0.4≤x≤1.0，R包含选自钪、钇、除铽以外的镧系元素所组成的组中的至少一种元素)。
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公开(公告)号：CN102803582B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080034297.3
申请日：2010-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/16 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62655 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/9653 , C30B11/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/08 , C30B29/22 , G02F1/0036 , G02F1/09
Abstract: 本发明的目的在于提供一种含有氧化铽的氧化物，其在波长1.06μm区域(0.9～1.1μm)中的维尔德常数大，并且具有高透明性。本发明的进一步的目的在于，提供一种适用于加工机用光纤激光器中的小型化了的磁光学设备。本发明的氧化物含有下述式(I)所示的氧化物作为主成分，波长1.06μm下的维尔德常数为0.18min/(Oe·cm)以上，并且波长1.06μm、光路长度3mm时的透过率为70％以上。(TbxR1-x)2O3(I)(式(I)中，x为0.4≤x≤1.0，R包含选自钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬、以及镥中的至少一种元素。)。
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公开(公告)号：CN103708839A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310460141.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/9653 , C09K11/7769 , H01J5/04 , H01J9/247 , H01J61/302 , H01S3/1685
Abstract: 本发明提供一种制造透明倍半氧化物烧结体的方法以及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体，通过该方法可以稳定的方式制造质量在实用水平的透明的M2O3型倍半氧化物烧结体。制备包括至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素的氧化物颗粒和Zr氧化物颗粒的粉末作为原料粉末，其中在稀土元素氧化物颗粒的粒径分布中，或在稀土元素氧化物颗粒聚集形成二次颗粒的情况下的二次颗粒的粒径分布中，粒径D2.5为180nm-2000nm，包括端点，在粒径D2.5，从最小粒径侧积累的颗粒量是基于总颗粒量的2.5％。将原料粉末压制成型为预定形状，之后进行烧结，由此制造透明的M2O3型倍半氧化物烧结体（M是至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素）。
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公开(公告)号：CN110240480B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910173615.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622 , G02F1/00 , G02F1/09
Abstract: 本发明涉及一种透明陶瓷、其制造方法和磁光学设备。通过下述操作制造透明陶瓷材料：将原料粉末成型为成型体，该原料粉末包括稀土氧化物和烧结助剂，该稀土氧化物由至少40mol％的氧化铽和余量的其他稀土氧化物组成；通过以至少100℃/h的速率从室温加热至T1(1200℃≤T1≤T)和任选地以1‑95℃/h的速率从T1加热在温度T(1,300℃≤T≤1,650℃)下将该成型体烧结；和在1,300‑1,650℃下对烧结的成型体进行HIP处理。该陶瓷材料在可见区域中具有改善的漫透射率并且在从可见区域至NIR区域的宽范围中作为磁光学部件发挥功能。
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公开(公告)号：CN104280901B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410332275.5
申请日：2014-07-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , G02F1/0036
Abstract: 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1 (1)B≦0.5×104 (2)。(2)的范围内。(TbxR1-x)2O3 (I) 在上式(I)中，
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