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    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
    1.
    发明授权
    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106952854B

    公开(公告)日：2021-12-14

    申请号：CN201610912284.0

    申请日：2016-10-19

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  安田浩之 ,  田边正人

    IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J183/04

    摘要： 对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体，其在支撑体上形成暂时粘着材料层，在该暂时粘着材料层上积层有晶片，该晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，以能剥离的方式积层于所述晶片的表面；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层；第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层，并以能剥离的方式积层于所述支撑体。

    晶片临时接合方法和薄晶片制造方法
    2.
    发明授权
    晶片临时接合方法和薄晶片制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105742194B

    公开(公告)日：2019-08-27

    申请号：CN201510982698.6

    申请日：2015-12-24

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 安田浩之 ,  菅生道博 ,  田上昭平 ,  田边正人

    IPC分类号： H01L21/58

    摘要： 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层，其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤：提供晶片层叠体，该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B')；提供支承体层叠体，该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C')；和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。

    晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法
    3.
    发明授权
    晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法 有权

    公开(公告)号：CN107403720B

    公开(公告)日：2024-04-02

    申请号：CN201710334028.2

    申请日：2017-05-12

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田上昭平 ,  菅生道博

    IPC分类号： H01L21/26

    摘要： 本发明所要解决的问题在于，提供一种晶片加工体，其即使在形成有电路的晶片上形成小于100nm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。本发明的技术方案是一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和/或保护有机膜层(A)的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层(B)，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层(B)含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
    4.
    发明授权
    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105733498B

    公开(公告)日：2020-07-28

    申请号：CN201510994277.5

    申请日：2015-12-25

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田边正人 ,  菅生道博 ,  安田浩之 ,  田上昭平 ,  加藤英人

    IPC分类号： C09J183/07 ,  C09J183/04 ,  C09J7/30

    摘要： 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法，容易暂时粘着和剥离，在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异，能够提高薄型晶片的生产性。为此，本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上，所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
    6.
    发明公开
    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105733498A

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：CN201510994277.5

    申请日：2015-12-25

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田边正人 ,  菅生道博 ,  安田浩之 ,  田上昭平 ,  加藤英人

    IPC分类号： C09J183/07 ,  C09J183/04 ,  C09J7/02

    摘要： 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法，容易暂时粘着和剥离，在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异，能够提高薄型晶片的生产性。为此，本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上，所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
    9.
    发明授权
    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105470188B

    公开(公告)日：2020-06-09

    申请号：CN201510624839.7

    申请日：2015-09-25

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  田边正人 ,  加藤英人

    IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J183/04

    摘要： 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。