图像传感器和摄像设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111741200A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010634846.6

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 公开了一种图像传感器和摄像设备。图像传感器包括像素部,其中,所述像素部由多个像素构成,并且包括第一像素组和第二像素组,所述第一像素组和所述第二像素组所包括的各像素包括:多个光电转换部;以及多个传送栅极,其分别对应于所述光电转换部,并且具有覆盖所述光电转换部中的相同部分区域的传送栅电极,以及所述第一像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置和所述第二像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置,在所述像素中处于相互不同的位置。

    摄像装置和摄像系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113676679B

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202110526970.5

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 本发明提供一种摄像装置和摄像系统。一种摄像装置包括:第一焊盘部,该第一焊盘部连接至孔径像素区域中的电压供应线,并且向该第一焊盘部供应来自半导体基板的外部的参考电压;以及第二焊盘部,该第二焊盘部连接至遮光像素区域中的电压供应线,并且向该第二焊盘部供应来自半导体基板的外部的参考电压,第二焊盘部与第一焊盘部分离。

    半导体装置和设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114730784A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080080720.7

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 光电二极管PD2中包括的光电转换构件部署在与区块B1重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B2重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B3重叠的位置处。各自与半导体层10一起形成MIS结构的多个电极25设置在半导体层10的表面FS上,其中,多个电极25中的至少一个与八个区块B2至B9中的至少一个重叠。

    图像传感器和摄像设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111741200B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010634846.6

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 公开了一种图像传感器和摄像设备。图像传感器包括像素部,其中,所述像素部由多个像素构成,并且包括第一像素组和第二像素组,所述第一像素组和所述第二像素组所包括的各像素包括:多个光电转换部;以及多个传送栅极,其分别对应于所述光电转换部,并且具有覆盖所述光电转换部中的相同部分区域的传送栅电极,以及所述第一像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置和所述第二像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置,在所述像素中处于相互不同的位置。

    光电转换装置、光电转换系统、移动体

    公开(公告)号:CN114938434A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210113180.9

    申请日:2022-01-30

    Abstract: 公开了光电转换装置、光电转换系统、移动体。一种光电转换装置包括:第一基板,该第一基板包括像素阵列,该像素阵列包括多个像素;第二基板,该第二基板层叠在第一基板上并包括AD转换部分,该AD转换部分包括被配置为将从第一基板输出的信号转换为数字信号的多个AD转换电路,其中,第二基板还包括多个信号处理单元,多个信号处理单元包括二者都被配置为执行机器学习处理的第一信号处理单元和第二信号处理单元,其中,多个组中的每一个包括在多个组之间不同的多个AD转换电路,其中,第一信号处理单元被布置为对应于多个组中的一个,并且其中,第二信号处理单元被布置为对应于多个组中的另一个。

    摄像装置和摄像系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113676679A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110526970.5

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 本发明提供一种摄像装置和摄像系统。一种摄像装置包括:第一焊盘部,该第一焊盘部连接至孔径像素区域中的电压供应线,并且向该第一焊盘部供应来自半导体基板的外部的参考电压;以及第二焊盘部,该第二焊盘部连接至遮光像素区域中的电压供应线,并且向该第二焊盘部供应来自半导体基板的外部的参考电压,第二焊盘部与第一焊盘部分离。

    AD转换电路、光电转换装置、光电转换系统及移动体

    公开(公告)号:CN112449123A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010884671.4

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明提供一种AD转换电路、光电转换装置、光电转换系统及移动体。一种AD转换电路包括被构造为将模拟信号与斜坡信号进行比较并输出指示比较结果的比较结果信号的比较器,并使用该比较结果信号进行AD转换。在比较中,斜坡信号的电位随着时间的流逝从第一电位变化为第二电位。在比较之前,斜坡信号的电位以第一变化率变化,然后以小于第一变化率的第二变化率变化,斜坡信号的电位从第一电位变化为在第一电位与第二电位之间的第三电位,并且在将第三电位输入到比较器的状态下,比较器被复位。

    图像传感器和摄像设备
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107295221B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201710177592.8

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 公开了一种图像传感器和摄像设备。图像传感器包括像素部,其中,所述像素部由多个像素构成,并且包括第一像素组和第二像素组,所述第一像素组和所述第二像素组所包括的各像素包括:多个光电转换部;以及多个传送栅极,其分别对应于所述光电转换部,并且具有覆盖所述光电转换部中的相同部分区域的传送栅电极,以及所述第一像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置和所述第二像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置,在所述像素中处于相互不同的位置。

    图像传感器和摄像设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107295221A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710177592.8

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 公开了一种图像传感器和摄像设备。图像传感器包括像素部,其中,所述像素部由多个像素构成,并且包括第一像素组和第二像素组,所述第一像素组和所述第二像素组所包括的各像素包括:多个光电转换部;以及多个传送栅极,其分别对应于所述光电转换部,并且具有覆盖所述光电转换部中的相同部分区域的传送栅电极,以及所述第一像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置和所述第二像素组的各像素所包括的光电转换部的各个光可接收区域的重心的平均位置,在所述像素中处于相互不同的位置。

Patent Agency Ranking