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公开(公告)号：CN100580942C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710128400.0
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
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公开(公告)号：CN1184327A
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：CN97114101.0
申请日：1997-11-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 福元嘉彦
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤:在衬底上形成导电材料膜;抛光导电材料膜;及清洗所述导电材料的抛光表面,其中所述清洗步骤在物理清洗之前利用超声波加工其上的清洗溶液进行超声清洗。
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公开(公告)号：CN101714568A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910252645.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
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公开(公告)号：CN1184954A
公开(公告)日：1998-06-17
申请号：CN97122897.3
申请日：1997-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133526 , G02F1/133512 , G02F1/133553 , G02F1/136277 , G02F2001/133357 , G02F2201/48
Abstract: 一种矩阵基片包括象素区、驱动电路区和密封区。所述象素区通过把一组象素电极设置成矩阵而形成,所述驱动电路区给所述象素电极提供电信号,给隔开所述象素电极的间隙充满绝缘材料制成的绝缘部分,以提供连接象素电极和所述象素电极材料制成的部分(member)的连续表面,所述绝缘部分的材料至少设置在或者所述驱动电路区或者在所述密封区以提供连续的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102104052A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010580456.1
申请日：2010-12-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换器件。一种光电转换器件包括：多个光电转换区域；被布置在多个光电转换区域上的层间绝缘膜；被布置为与层间绝缘膜接触并具有与层间绝缘膜的折射率不同的折射率的保护绝缘膜；被布置在多个光电转换区域中的每一个的受光表面中的凹陷；以及被埋入在凹陷中的埋入区域。当对于多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且埋入区域的折射率由n表示时，凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。
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公开(公告)号：CN1119693C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN97122897.3
申请日：1997-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133526 , G02F1/133512 , G02F1/133553 , G02F1/136277 , G02F2001/133357 , G02F2201/48
Abstract: 一种矩阵基片包括象素区、驱动电路区和密封区。所述象素区通过把一组象素电极设置成矩阵而形成，所述驱动电路区给所述象素电极提供电信号，给隔开所述象素电极的间隙充满绝缘材料制成的绝缘部件，以提供连接象素电极和所述象素电极材料制成的部件的连续表面，所述绝缘部件的材料至少设置在或者所述驱动电路区或者在所述密封区以提供连续的表面。
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公开(公告)号：CN102104052B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201010580456.1
申请日：2010-12-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换器件。一种光电转换器件包括：多个光电转换区域；被布置在多个光电转换区域上的层间绝缘膜；被布置为与层间绝缘膜接触并具有与层间绝缘膜的折射率不同的折射率的保护绝缘膜；被布置在多个光电转换区域中的每一个的受光表面中的凹陷；以及被埋入在凹陷中的埋入区域。当对于多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且埋入区域的折射率由n表示时，凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。
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公开(公告)号：CN101714568B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910252645.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
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公开(公告)号：CN101106149A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128400.0
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
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