公开(公告)号：CN1119693C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN97122897.3

申请日：1997-10-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫胁守 ,  博松克巳 ,  小山理 ,  福元嘉彦 ,  中泽亨

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133526 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/48

Abstract: 一种矩阵基片包括象素区、驱动电路区和密封区。所述象素区通过把一组象素电极设置成矩阵而形成，所述驱动电路区给所述象素电极提供电信号，给隔开所述象素电极的间隙充满绝缘材料制成的绝缘部件，以提供连接象素电极和所述象素电极材料制成的部件的连续表面，所述绝缘部件的材料至少设置在或者所述驱动电路区或者在所述密封区以提供连续的表面。

公开(公告)号：CN102569063B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201110416334.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中泽亨

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。所述方法包括：在基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；去除第二面上的第一绝缘膜；在第一面上的第一绝缘膜和第二面上形成多晶硅膜；在第一面和第二面上的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面上的第二绝缘膜；去除第一面和第二面上的第二绝缘膜；以及去除第一面侧的多晶硅膜。所述方法还包括：在多晶硅膜形成步骤之后且在多晶硅膜去除步骤之前，形成保护第二面侧的多晶硅膜的钝化膜，使得第二面侧的多晶硅膜在多晶硅膜去除步骤中不被去除。本发明使得能够提高吸气效果，由此抑制由于诸如重金属杂质的金属杂质的污染所导致的半导体装置的性能劣化。

公开(公告)号：CN102569063A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110416334.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中泽亨

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。所述方法包括：在基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；去除第二面上的第一绝缘膜；在第一面上的第一绝缘膜和第二面上形成多晶硅膜；在第一面和第二面上的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面上的第二绝缘膜；去除第一面和第二面上的第二绝缘膜；以及去除第一面侧的多晶硅膜。所述方法还包括：在多晶硅膜形成步骤之后且在多晶硅膜去除步骤之前，形成保护第二面侧的多晶硅膜的钝化膜，使得第二面侧的多晶硅膜在多晶硅膜去除步骤中不被去除。

公开(公告)号：CN1184954A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN97122897.3

申请日：1997-10-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫胁守 ,  榑松克巳 ,  小山理 ,  福元嘉彦 ,  中泽亨

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133526 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/48

Abstract: 一种矩阵基片包括象素区、驱动电路区和密封区。所述象素区通过把一组象素电极设置成矩阵而形成,所述驱动电路区给所述象素电极提供电信号,给隔开所述象素电极的间隙充满绝缘材料制成的绝缘部分,以提供连接象素电极和所述象素电极材料制成的部分(member)的连续表面,所述绝缘部分的材料至少设置在或者所述驱动电路区或者在所述密封区以提供连续的表面。