-
公开(公告)号：CN100580942C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710128400.0
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
-
公开(公告)号：CN101714568A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910252645.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
-
公开(公告)号：CN101714568B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910252645.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
-
公开(公告)号：CN101106149A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128400.0
申请日：2007-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.029 seconds)
