公开(公告)号：CN119012878A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410591676.6

申请日：2024-05-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 栢野道明 ,  村上泰夫 ,  滨口航平 ,  岸本克史

IPC: H10K71/12 ,  H10K59/10 ,  H10K50/10 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法、物品制造方法、计算机程序产品、计算机可读存储介质。寻求能以高生产量适当地进行基板的干燥处理的技术。使用基板处理装置的基板处理方法的特征在于：将具有膜的基板载置在配置于腔室内部的基板保持部，由具备开口部的气流调整容器包围载置于上述基板保持部的上述基板，区划形成基板收容空间，利用减压机构对上述腔室的内部进行减压，使用利用分压真空计针对上述基板收容空间的氛围气体检测特定气体的结果、以及利用真空计对上述腔室的内部的总压进行测定的结果，控制上述气流调整容器的上述开口部的传导率，执行上述膜的干燥处理。

公开(公告)号：CN119329199A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410945285.X

申请日：2024-07-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 滨口航平 ,  村上泰夫 ,  栢野道明 ,  二木元 ,  岸本克史

IPC: B41J11/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/13

Abstract: 本发明提供一种为了缩短使基板周边的构造物干燥的处理的处理时间而有利的基板处理装置、基板处理方法及物品的制造方法。基板处理装置的特征在于，包括：气密容器；基板保持部，其配置在所述气密容器的内部，能够保持涂敷有包含溶剂的溶液的基板；减压部，其对所述气密容器的内部进行减压；划定构件，其在所述气密容器的内部划定包围所述基板的空间；传感器部，其面向由所述划定构件划定的所述空间；以及测量部，其根据溶剂是否附着于所述传感器部而输出不同的测量结果。

公开(公告)号：CN118237242A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311748470.1

申请日：2023-12-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 寺本洋二 ,  村上泰夫 ,  若林聪 ,  二木元 ,  滨口航平 ,  岸本克史

IPC: B05D3/04 ,  H01L21/67 ,  H10K71/00 ,  H10K50/10

Abstract: 本发明提供基板处理装置以及物品制造方法，减少配置在基板上的溶液的干燥速度的不均。基板处理装置具备：气密容器；对上述气密容器的内部进行减压的减压机构；配置在上述气密容器的内部并能保持基板的基板保持部；以及在上述气密容器的内部配置在与上述基板保持部所保持的上述基板的侧面相向的位置的壁构件。上述壁构件具有与上述基板的侧面相向的那侧的壁面。上述壁构件在上述壁面的至少一部分具有第1防液构件。

公开(公告)号：CN116666261A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310140960.7

申请日：2023-02-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西川原朋史 ,  二木元 ,  村上泰夫 ,  寺本洋二 ,  若林聪 ,  滨口航平 ,  柏野道明 ,  岸本克史

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法。基板处理装置的特征在于通过如下干燥工序使基板上的膜进行干燥，干燥工序包括：第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；第二干燥工序，使膜在比既定压力低的压力下进行干燥，基板处理装置具有：保持基板的基板保持部；腔室；对腔室的内部进行减压的减压机构；罩盖，其设置有开口，并且在腔室的内部中覆盖被基板保持部保持的基板；第一供给部，其向腔室的内部且为罩盖的外部即第一空间供给气体；第二供给部，其向腔室的内部且为罩盖的内部即第二空间供给气体，第一供给部在第一干燥工序中向第一空间供给气体，第二供给部在第二干燥工序中向第二空间供给气体。