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公开(公告)号：CN107275352A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710197850.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/2253
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置以及照相机。所述光电转换装置包括元件隔离部和像素隔离部，所述元件隔离部设置在半导体层的正面侧并且由绝缘体构成。所述像素隔离部包括在法线方向上与隔离区域交叠的部分。所述半导体层在中间平面中跨越半导体区域连续。所述部分位于一个半导体区域与另一半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN104347656B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410347610.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桑原英司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及光电转换器件和成像系统。光电转换器件包含：包含第一导电类型的第一半导体区域的光电转换元件；被设置为与第一半导体区域接触的第一导电类型的第二半导体区域；被设置为与第二半导体区域分开的第一导电类型的第三半导体区域；被设置在第二与第三半导体区域之间的第二导电类型的第四半导体区域；以及被设置为与第三半导体区域分开的第一导电类型的第五半导体区域，其中，第三半导体区域的杂质浓度比第五半导体区域的杂质浓度低，并且第三半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度大于第五半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度。
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公开(公告)号：CN114914260A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210517086.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置以及照相机。所述光电转换装置包括元件隔离部和像素隔离部，所述元件隔离部设置在半导体层的正面侧并且由绝缘体构成。所述像素隔离部包括在法线方向上与隔离区域交叠的部分。所述半导体层在中间平面中跨越半导体区域连续。所述部分位于一个半导体区域与另一半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN103297713B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310060686.9
申请日：2013-02-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桑原英司
IPC: H04N5/335 , H04N5/232 , H01L27/146 , G03B13/36 , G02B7/34
CPC classification number: H04N5/232 , G02B7/346 , G03B13/36 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14636
Abstract: 本发明公开了光电转换装置、焦点检测装置和图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一线传感器单元，在其中多个像素布置在第一方向上；第二线传感器单元，在其中多个像素布置在第二方向上；和第三线传感器单元，在其中多个像素布置在第三方向上。每个像素包括光电转换部分和晶体管。第二方向垂直于第一方向，第三方向不垂直于第一方向和第二方向。所述晶体管的沟道设置在第一方向或第二方向上。
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公开(公告)号：CN103297713A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310060686.9
申请日：2013-02-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桑原英司
IPC: H04N5/335 , H04N5/232 , H01L27/146 , G03B13/36 , G02B7/34
CPC classification number: H04N5/232 , G02B7/346 , G03B13/36 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14636
Abstract: 本发明公开了光电转换装置、焦点检测装置和图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一线传感器单元，在其中多个像素布置在第一方向上；第二线传感器单元，在其中多个像素布置在第二方向上；和第三线传感器单元，在其中多个像素布置在第三方向上。每个像素包括光电转换部分和晶体管。第二方向垂直于第一方向，第三方向不垂直于第一方向和第二方向。所述晶体管的沟道设置在第一方向或第二方向上。
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公开(公告)号：CN117956837A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311432572.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10K59/121 , H10K59/10 , H10K59/80 , H10K50/844 , H10K71/00 , H10K59/12 , G06F3/041 , H04N23/50
Abstract: 公开了有机器件及用于制造有机器件的方法。一种有机器件包括：像素区域，被部署在基板的第一主表面上方并且在该像素区域中部署有多个像素；周边区域，在第一主表面上方被部署在像素区域的外侧；外部连接电极，在第一主表面上方被部署在周边区域中；第一密封膜，被部署在外部连接电极的上方；以及第二密封膜，被部署在外部连接电极的上方并且该第二密封膜的材料与第一密封膜的材料不同，其中，第二密封膜被部署在第一密封膜的上方，并且在周边区域中，有机器件在第一密封膜中设置有开口并且在开口与像素区域之间设置有第一凹槽，该开口使外部连接电极露出，第二密封膜被部署在第一凹槽中。
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公开(公告)号：CN107275352B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201710197850.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置以及照相机。所述光电转换装置包括元件隔离部和像素隔离部，所述元件隔离部设置在半导体层的正面侧并且由绝缘体构成。所述像素隔离部包括在法线方向上与隔离区域交叠的部分。所述半导体层在中间平面中跨越半导体区域连续。所述部分位于一个半导体区域与另一半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN107359210A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710327951.3
申请日：2017-05-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L23/498 , H01L27/14
Abstract: 公开了用于制造光电转换设备的方法。用于制造光电转换设备的方法，包括以下步骤：将包括设置有光电转换元件的半导体层的第一基板固定到第二基板；从第一基板的与第二基板相反的一侧使固定到第二基板的第一基板薄化；将第一基板固定到设置有半导体元件的第三基板，使得第三基板位于第一基板的与第二基板相反的一侧；以及在将第一基板固定到第三基板的步骤之后移除第二基板。
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公开(公告)号：CN107359210B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710327951.3
申请日：2017-05-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L23/498 , H01L27/14
Abstract: 公开了用于制造光电转换设备的方法。用于制造光电转换设备的方法，包括以下步骤：将包括设置有光电转换元件的半导体层的第一基板固定到第二基板；从第一基板的与第二基板相反的一侧使固定到第二基板的第一基板薄化；将第一基板固定到设置有半导体元件的第三基板，使得第三基板位于第一基板的与第二基板相反的一侧；以及在将第一基板固定到第三基板的步骤之后移除第二基板。
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公开(公告)号：CN104347656A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410347610.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桑原英司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及光电转换器件和成像系统。光电转换器件包含：包含第一导电类型的第一半导体区域的光电转换元件；被设置为与第一半导体区域接触的第一导电类型的第二半导体区域；被设置为与第二半导体区域分开的第一导电类型的第三半导体区域；被设置在第二与第三半导体区域之间的第二导电类型的第四半导体区域；以及被设置为与第三半导体区域分开的第一导电类型的第五半导体区域，其中，第三半导体区域的杂质浓度比第五半导体区域的杂质浓度低，并且第三半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度大于第五半导体区域的下边缘离半导体基板的表面的深度。
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