公开(公告)号：CN109244092B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN112310132A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010715480.5

申请日：2020-07-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和使用物体识别的设备，该半导体装置包括：半导体层，其中设置了多个像素，该多个像素各自包括光电转换器；以及互连结构，其被布置在半导体层上。多个像素包括第一光接收像素和第二光接收像素，互连结构包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；第一绝缘构件，其被布置成与第一光接收像素相关联并且由与第一绝缘材料相比具有更大氢含量的第二绝缘材料制成；以及第二绝缘构件，其被布置成与第二光接收像素相关联并且由第二绝缘材料制成，以及第一绝缘构件的体积大于第二绝缘构件的体积。

公开(公告)号：CN112310132B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010715480.5

申请日：2020-07-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和使用物体识别的设备，该半导体装置包括：半导体层，其中设置了多个像素，该多个像素各自包括光电转换器；以及互连结构，其被布置在半导体层上。多个像素包括第一光接收像素和第二光接收像素，互连结构包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；第一绝缘构件，其被布置成与第一光接收像素相关联并且由与第一绝缘材料相比具有更大氢含量的第二绝缘材料制成；以及第二绝缘构件，其被布置成与第二光接收像素相关联并且由第二绝缘材料制成，以及第一绝缘构件的体积大于第二绝缘构件的体积。

公开(公告)号：CN109244092A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN116705813A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310457124.1

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN102629554B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210020142.5

申请日：2012-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之 ,  篠原真人 ,  川端康博

IPC: H01L21/266 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。

公开(公告)号：CN102629554A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210020142.5

申请日：2012-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之 ,  篠原真人 ,  川端康博

IPC: H01L21/266 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。