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公开(公告)号：CN103151363A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310059322.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN103151363B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310059322.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN102034837A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010288327.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和成像系统。本发明的光电转换装置包括第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的用作针对信号电荷的势垒的第一半导体区域、以及第一光电转换元件和第三光电转换元件之间的具有比第一半导体区域窄的宽度并用作针对信号电荷的势垒的第二半导体区域。具有低势垒的区域被设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的至少一部分处。
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公开(公告)号：CN102629554B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210020142.5
申请日：2012-01-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/266 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L27/14689 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102629554A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210020142.5
申请日：2012-01-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/266 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L27/14689 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。
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公开(公告)号：CN102034838A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010288433.3
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和一种成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN102034838B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010288433.3
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14831 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和一种成像系统。本发明的光电转换装置包括：被布置在基板上的多个光电转换元件；用于传送信号电荷的晶体管；和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括：被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域；和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN102664186A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210181961.8
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和成像系统。本发明的光电转换装置包括第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的用作针对信号电荷的势垒的第一半导体区域、以及第一光电转换元件和第三光电转换元件之间的具有比第一半导体区域窄的宽度并用作针对信号电荷的势垒的第二半导体区域。具有低势垒的区域被设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的至少一部分处。
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公开(公告)号：CN102034837B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010288327.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置和成像系统。本发明的光电转换装置包括第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的用作针对信号电荷的势垒的第一半导体区域、以及第一光电转换元件和第三光电转换元件之间的具有比第一半导体区域窄的宽度并用作针对信号电荷的势垒的第二半导体区域。具有低势垒的区域被设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的至少一部分处。
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