公开(公告)号：CN109244092B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN105301677A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510300461.5

申请日：2015-06-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 关根康弘 ,  古田真梨子 ,  岩田纯 ,  渡边杏平

IPC: G02B3/00 ,  G03F1/26

CPC classification number: G02B3/0037 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/005 ,  G02B3/0056 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/10 ,  G03F1/50 ,  G03F7/0005

Abstract: 本发明涉及光掩模、光学元件阵列的制造方法、光学元件阵列。用于包含第一光学元件和第二光学元件的光学元件阵列的光掩模。光透射率分布包含要形成第一光学元件的第一区域、要形成第二光学元件的第二区域、以及第一区域与第二区域之间的第三区域，在第一区域的端部处具有第一光透射率。第二光透射率在另一端部处比第一光透射率高。端部处的第三光透射率与第二区域和第三区域之间的边界对应。第四光透射率在第二区域的另一端部处比第三光透射率高。在第三区域中，沿第一方向的光透射率分布比连接第二光透射率和第三光透射率的线段高。

公开(公告)号：CN116705813A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310457124.1

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN109244092A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。