-
公开(公告)号：CN104264217A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410558331.7
申请日：2014-10-20
Applicant: 佛山市中山大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
-
-
公开(公告)号：CN107699864A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710827333.5
申请日：2017-09-14
Applicant: 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 金属有机化学气相沉积法，是一种广泛用来生长半导体和氧化物外延薄膜的技术，目前这项生长技术已经发展的相当成熟，在工业化生产中得到了广泛的应用，MOCVD方法最大的优点在于它生长速度快，容易实现大规模生产，而且此方法对均匀掺杂控制非常方便，同时生长速率和温度的控制范围都很大，所以可以方便地生长出复杂组分的精细结构，现有技术中的MOCVD设备，通入反应腔中的气体流场分布比较复杂，难以定向控制，影响薄膜生长质量，效率低下，同时消耗了反应物，提高了成本，也降低了薄膜的外延速度，为了解决上述问题本发明提供了一种MOCVD设备进气装置和反应腔的结构，以克服上述缺点。
-
公开(公告)号：CN105420691A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510811448.6
申请日：2015-11-19
Applicant: 广州市威时强光电科技发展有限公司 , 佛山市中山大学研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔，MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部，氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔，保护气体通道设置于MO源通道和氧源通道之间，保护气体在反应腔内形成气壁，从而分隔开MO源气体以及氧源气体在反应腔内到达旋转基座前的预混合，从而提高MOCVD设备生长薄膜的质量。本发明提供的MOCVD设备喷淋头可通过控制保护气体流量来控制气壁的厚度以及长短，通过设计观察通道、MO源通道、保护气体通道及氧源通道的设计可以准确控制生长薄膜的质量，得到高质量的薄膜。
-
公开(公告)号：CN106591805A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611046665.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45512 , C23C16/458
Abstract: 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器，所述整流器设置于反应腔内的顶部；所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管；所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端；所述输运通道中，从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板，所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成，防止了预反应的进行，提高了薄膜生长质量，且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面，提高生长速率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106503297A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610851059.0
申请日：2016-09-26
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
CPC classification number: G06F17/5086 , C23C16/46 , C23C16/52 , G06N3/02
Abstract: 本发明涉及一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法，将计算机和传热学知识结合起来，对MOCVD反应腔中加热情况进行模拟，利用神经网络构建数学模型，再利用遗传算法进行寻优，找出石墨盘表面温度最均匀时的加热电流，从而有利于薄膜均匀沉积，提高薄膜生长质量。
-
公开(公告)号：CN104264129B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410558174.X
申请日：2014-10-20
Applicant: 佛山市中山大学研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备的进气装置及MOCVD设备，进气装置内部设有相互隔离的第一腔体和第二腔体；第一腔体沿进气装置的直径方向设置，在第一腔体上竖向设有多个第一气体进气管，第二腔体位于第一腔体两侧，第二腔体内横向设有第二气体进气管道，第二气体进气管道贯穿进气装置侧壁，第二气体进气管道的管壁上设有多个喷孔；第二腔体上竖向设有多个第三气体进气管，第二气体与第三气体在第二腔体内混合后向下移动，进气装置的底面为第一过滤网，第一气体、第二气体和第三气体穿过第一过滤网向下流动。本发明进气装置的气体管道架构简洁，进气易控制，降低了设备制造成本及难度，提高了气体均匀性以及薄膜生长的均匀性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN106968015B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710195510.2
申请日：2017-03-29
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
Abstract: 本发明提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10‑4Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50％，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外‑深紫外波段的透明导电薄膜。
-
公开(公告)号：CN106591805B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201611046665.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器，所述整流器设置于反应腔内的顶部；所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管；所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端；所述输运通道中，从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板，所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成，防止了预反应的进行，提高了薄膜生长质量，且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面，提高生长速率。
-
公开(公告)号：CN107641800A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710823646.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
Abstract: MOCVD是一个庞大的系统，生长的过程中同时发生着许多物理和化学现象。半导体薄膜的生长与MOCVD系统本身的结构设计、反应物的选择、各项生长参数(例如反应室压力、衬底温度、气体流量等)、生长步骤等紧密相关，所有这些因素共同作用，达到理想状态才能得到高质量的薄膜。本发明的目的在于提供一种氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法，通过计算机对符合实验结果的MOCVD设备模型进行数值模拟，对MFC入口开关进行间歇式控制，从而直观看出间歇式控制对MOCVD薄膜生长均匀性的影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.037 seconds)
