Invention Publication
- Patent Title: 一种MOCVD设备喷淋头及其气相反应控制方法
- Patent Title (English): MOCVD equipment spray head and vapour reaction control method thereof
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Application No.: CN201510811448.6Application Date: 2015-11-19
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Publication No.: CN105420691APublication Date: 2016-03-23
- Inventor: 王钢 , 李健 , 范冰丰 , 蔡健栋 , 徐晨
- Applicant: 广州市威时强光电科技发展有限公司 , 佛山市中山大学研究院
- Applicant Address: 广东省广州市花都区新华街天贵路88号科技大楼A座512、514室
- Assignee: 广州市威时强光电科技发展有限公司,佛山市中山大学研究院
- Current Assignee: 中山大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市花都区新华街天贵路88号科技大楼A座512、514室
- Agency: 广州圣理华知识产权代理有限公司
- Agent 顿海舟; 李唐明
- Main IPC: C23C16/455
- IPC: C23C16/455 ; C23C16/458 ; C23C16/52

Abstract:
本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔,MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部,氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔,保护气体通道设置于MO源通道和氧源通道之间,保护气体在反应腔内形成气壁,从而分隔开MO源气体以及氧源气体在反应腔内到达旋转基座前的预混合,从而提高MOCVD设备生长薄膜的质量。本发明提供的MOCVD设备喷淋头可通过控制保护气体流量来控制气壁的厚度以及长短,通过设计观察通道、MO源通道、保护气体通道及氧源通道的设计可以准确控制生长薄膜的质量,得到高质量的薄膜。
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