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公开(公告)号：CN115692580A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211405989.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 佛山市光垒智能制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮紫外LED芯片，包括衬底和衬底背面的DBR反射层，其特征在于，所述衬底的正面从下往上依次包括GaN层、n型GaN层、p型GaN层和透明导电薄膜IOX；所述DBR反射层由中心波长为490nm的DBR膜堆和中心波长为390nm的DBR膜堆组成；所述DBR膜堆由47nm厚的高折射率材料Ta2O5和67nm厚的低折射率材料SiO2交替排列组成。本发明还公开了这种LED芯片的制备方法。通过对两种波长的DBR薄膜的结合形成的DBR反射层，即使在高角度入射光条件下，依旧能有很好的光反射率，让LED的出光率能有较大提升，解决了现有技术中存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN107394023B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710585131.4
申请日：2017-07-18
Applicant: 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：生长衬底预处理、生长氧化锌种子层、第一次晶化处理、生长氧化锌电流扩展层、第二次晶化处理、生长纳米结构氧化锌表面层、第三次晶化处理。本发明制备方法通过在生长衬底上生长三层氧化锌并分别进行晶化处理而制备一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜结构，其解决了现有LED技术中TCL性能和结构不足而无法满足高亮度、大功率和高可靠性应用领域需求的问题。
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公开(公告)号：CN106968015B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710195510.2
申请日：2017-03-29
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
Abstract: 本发明提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10‑4Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50％，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外‑深紫外波段的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN106591805B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201611046665.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种MOCVD设备喷淋头及包含其的MOCVD设备和进气方式。本发明提供一种MOCVD设备喷淋头，包括进气装置、反应腔和旋转基座，所述进气装置包括输运通道、氧源和载气入口、MO源喷射格栅、静态混合器、可调节导流板和整流器，所述整流器设置于反应腔内的顶部；所述MO源喷射格栅包括设置于输运通道中的喷射格栅和部分设置于输运通道外的MO源入口管；所述氧源和载气入口设置于输运通道的初始端；所述输运通道中，从起始端开始依次设置有喷射格栅、静态混合器和可调节导流板，所述可调节导流板位于输运通道的拐角处。本发明提供的输运通道将氧源与MO源在反应腔外掺混完成，防止了预反应的进行，提高了薄膜生长质量，且掺混后的混合气体通过整流器直接均匀喷淋至基片表面，提高生长速率。
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公开(公告)号：CN107641800A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710823646.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 中山大学 , 佛山市中山大学研究院
Abstract: MOCVD是一个庞大的系统，生长的过程中同时发生着许多物理和化学现象。半导体薄膜的生长与MOCVD系统本身的结构设计、反应物的选择、各项生长参数(例如反应室压力、衬底温度、气体流量等)、生长步骤等紧密相关，所有这些因素共同作用，达到理想状态才能得到高质量的薄膜。本发明的目的在于提供一种氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法，通过计算机对符合实验结果的MOCVD设备模型进行数值模拟，对MFC入口开关进行间歇式控制，从而直观看出间歇式控制对MOCVD薄膜生长均匀性的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107244069A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710252978.0
申请日：2017-04-18
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC: B29C64/135 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种大幅面DLP三维打印装置，包括计算机系统、升降系统、供料系统与DLP控制系统；其中计算机系统可对三维模型进行切片图像处理，并能控制升降系统、供料系统与DLP控制系统，升降系统使大尺寸成型板和DLP阵列能够进行垂直升降运动，供料系统能往料槽中注入光固化剂，DLP控制系统可使DLP投影阵列投射料槽底部，并对投射重叠区域进行矫正与边缘融合，使固化剂成型成所需的大幅面图案。
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公开(公告)号：CN106950619A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610910879.2
申请日：2016-10-19
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 广州市威时强光电科技发展有限公司 , 中山大学
CPC classification number: G02B3/00 , G02B3/06 , G02B2003/0093
Abstract: 本发明公开了一种具有复合透镜结构的UVLED模组及其制备方法，该复合透镜包括直接置于UVLED芯片上表面的第一透镜体和置于第一透镜体上表面的第二透镜体。其中，所述第一透镜体为扁长方体状，第二透镜体由若干个小型透镜组合而成，该小型透镜可以为半圆柱体状。所述第一类透镜体和第二类透镜体采用两次注塑成型工艺分别制成，可选择性价比较高的不同的材料组合，在低成本的同时得到不同的透射效果，从而可拓展UVLED模组的应用领域。
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公开(公告)号：CN104264217B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410558331.7
申请日：2014-10-20
Applicant: 佛山市中山大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
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公开(公告)号：CN106678736A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611050840.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 中山大学
IPC: F21V5/04 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V5/04
Abstract: 本发明公开了本发明一种齿状的透镜结构，包含辐射状延伸的齿状结构，辐射状延伸的齿状结构包覆在透镜的外侧面；每个齿状结构的外形轮廓相同，依次按照以下规则生成，1)由一条从内向外延展的曲线作为母线U，选定母线的中点O和光轴I；2)在该母线所在平面内做母线中点O的法线方向矢量L和切线方向矢量N；3)将L绕N方向分别旋转角度α和‑α，形成两条射线L1和L2；4)将母线U分别沿L1和L2延展，形成类似一个V字形状凹槽；5)将凹槽绕I旋转角度β和‑β，生成交叉的3个V字形槽状结构；6)去掉中间V字形凹槽与其他两个V字形凹槽交叉的部分，保留剩下的部分即为所述外形轮廓。本发明齿面的透镜替代反射器的作用，节省成本。
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公开(公告)号：CN104630747A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510062237.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 佛山市中山大学研究院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备的喷淋头，包括将Zn源直接送进反应腔的Zn源管道，观察器以及辅助气体入口，所述喷淋头内腔顶部设有将所述辅助气体入口送入的气体进行折流过滤的折流机构，折流机构下设有若干漏斗形的送气管，各条送气管之间还包括冷却水管道。本发明的喷淋头，解决现有技术的喷淋头，反应物过早地受热反应，造成滤网阻塞的问题，并从结构上改进送气管道系统，让气体输送到基片表面前气流均匀无湍流，减少寄生反应和高温寄生沉积，提高薄膜生产效果。
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