包覆膜的形成方法以及发光二极管器件的制造方法

    公开(公告)号:CN106164334B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201480077947.0

    申请日:2014-04-15

    Abstract: 本发明的课题是在金属材料的表面形成包覆膜,所述包覆膜即使制造时的加热处理中或者长时间的户外环境下的使用,也能够防止由金属材料的表面的腐蚀导致的变色,并且引线接合特性也优异。本发明的解决方案是通过在大气压条件下,在氮等离子体气体中,将六甲基二硅氧烷化合物与作为载气的氮气一起混合喷雾,使该六甲基二硅氧烷化合物自由基化,从而聚合,在金属材料的表面形成厚度4nm~14nm的聚硅氧烷膜,所述聚硅氧烷膜由主链为‑(Si‑O‑Si)n‑的聚硅氧烷构成。

    叠层体的蚀刻方法和使用了其的印刷配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN107135608B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201710101154.3

    申请日:2017-02-24

    Abstract: 本发明提供叠层体的蚀刻方法和印刷配线基板的制造方法。提供解决在2层柔性配线板的制造中使用半加成法的上述问题点,在包含基底金属层和铜的构成体的蚀刻中,不溶解铜地选择性地溶解基底金属层,抑制铜配线的配线宽度的减小,没有断线、短路等缺陷的可靠性高的基板的制造方法。叠层体的蚀刻方法的特征在于,其为在绝缘基板的至少单面不通过粘合剂地形成了用包含从镍、铬中选择的1种以上金属的合金形成了的基底金属层和在前述基底金属层的表面的铜被膜层的叠层体的蚀刻方法,对蚀刻除去了该铜被膜层之后露出了的基底金属层用具有氨基的水溶性有机溶剂或有机溶剂的水溶液进行了处理之后,利用含高锰酸盐的酸性的氧化剂进行蚀刻、除去。

    印刷配线基板及印刷配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101594737B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN200910202848.1

    申请日:2009-05-26

    Abstract: 本发明提供:在导体配线形成时具有高蚀刻性,具体的是采用氯化铁水溶液或盐酸酸性氯化铜溶液进行蚀刻时,在导体配线间残留的基底金属层成分的蚀刻残渣少,对导体配线间施加高电压时,具有高的绝缘可靠性及耐蚀性的印刷配线基板及其制造方法。其是在绝缘树脂膜A的至少1个表面上,不通过粘接剂而依次叠层了由镍、或含镍70质量%以上、铬低于15质量%的镍-铬合金的金属层B;含镍、含铬15质量%以上的合金构成的金属层C、膜厚10nm~35μm的铜被膜层D构成的金属膜的不要部分,采用化学蚀刻处理进行选择性地除去,形成导体配线的印刷配线基板。

    叠层体的蚀刻方法和使用了其的印刷配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN107135608A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710101154.3

    申请日:2017-02-24

    Abstract: 本发明提供叠层体的蚀刻方法和印刷配线基板的制造方法。提供解决在2层柔性配线板的制造中使用半加成法的上述问题点,在包含基底金属层和铜的构成体的蚀刻中,不溶解铜地选择性地溶解基底金属层,抑制铜配线的配线宽度的减小,没有断线、短路等缺陷的可靠性高的基板的制造方法。叠层体的蚀刻方法的特征在于,其为在绝缘基板的至少单面不通过粘合剂地形成了用包含从镍、铬中选择的1种以上金属的合金形成了的基底金属层和在前述基底金属层的表面的铜被膜层的叠层体的蚀刻方法,对蚀刻除去了该铜被膜层之后露出了的基底金属层用具有氨基的水溶性有机溶剂或有机溶剂的水溶液进行了处理之后,利用含高锰酸盐的酸性的氧化剂进行蚀刻、除去。

    印刷配线基板及印刷配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101594737A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200910202848.1

    申请日:2009-05-26

    Abstract: 本发明提供:在导体配线形成时具有高蚀刻性,具体的是采用氯化铁水溶液或盐酸酸性氯化铜溶液进行蚀刻时,在导体配线间残留的基底金属层成分的蚀刻残渣少,对导体配线间施加高电压时,具有高的绝缘可靠性及耐蚀性的印刷配线基板及其制造方法。其是在绝缘树脂膜A的至少1个表面上,不通过粘接剂而依次叠层了由镍、或含镍70质量%以上、铬低于15质量%的镍-铬合金的金属层B;含镍、含铬15质量%以上的合金构成的金属层C、膜厚10nm~35μm的铜被膜层D构成的金属膜的不要部分,采用化学蚀刻处理进行选择性地除去,形成导体配线的印刷配线基板。

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