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公开(公告)号：CN107532288B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680026174.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 渡边宽人
Abstract: 本发明的课题是提供一种反应性溅射法，其使非腐蚀区域沉积的颗粒沉积物、腐蚀区域产生的结瘤不易从溅射靶脱离，又能抑制电弧放电等。本发明的技术方案是：该反应性溅射法使用在真空室(10)内具备磁控溅射阴极(17)、(18)、(19)、(20)的溅射装置，并且在真空室内导入含有反应性气体的工艺气体进行成膜，所述反应性溅射法的特征在于，该反应性气体由氧气或氮气构成并且反应性气体中含有水。在反应性气体所含的水分的作用下，颗粒沉积物、结瘤变得不易从溅射靶脱离，带电的颗粒沉积物、结瘤的电荷减少而使电弧放电被抑制。
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公开(公告)号：CN109416605A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780041438.6
申请日：2017-06-14
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 渡边宽人
Abstract: 提供一种层叠体基板，包括透明基材；以及层叠体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，其中，所述层叠体包括由选自由Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Fe、Co、Mo、V、W构成的金属组的一种以上的金属构成、或者由以选自所述金属组的一种以上的金属为主成分的合金构成的基底金属层；配置在所述基底金属层上，并且含有氧、铜及镍的第一黑化层；以及铜层，所述第一黑化层中所包含的金属成分之中的镍的比率为20质量％以上70质量％以下。
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公开(公告)号：CN119546789A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053708.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种从废电池得到含有镍和/或钴的溶液的处理方法。所述处理方法依次执行：(1)前处理工序，将废电池无害化并破碎，得到破碎物；(2)碱浸出工序，在破碎物中添加碱，得到含有Li、Al、F、P的碱浸出液以及含有Ni和/或Co的碱浸出残渣；(3)还原浸出工序，使碱浸出残渣与酸和还原剂接触，得到将Ni和/或Co还原并浸出到酸溶液中而成的还原浸出液；(4)硫化工序，在还原浸出液中添加硫化剂，得到将Cu以硫化物去除后的硫化后液；(5)氧化中和工序，在硫化后液中添加氧化剂和中和剂来使Fe、P、Al沉淀并去除，得到氧化中和液；以及(6)离子交换工序，使氧化中和液与离子交换树脂接触而使F吸附于离子交换树脂并进行分离，得到含有Ni和/或Co的离子交换后液。
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公开(公告)号：CN116171264A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202280006329.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C01G51/10
Abstract: 本发明提供在不使用电解工序的情况下从含有杂质的氯化钴溶液中分离杂质与钴而制造出纯度高的硫酸钴的方法。该方法依序实施下述工序：脱铜工序(S1)，向含有铜、锌、锰、钙及镁中的1种以上的杂质的氯化钴溶液中添加硫化剂，生成铜的硫化物沉淀将其分离去除；中和工序(S2)，向经过脱铜工序(S1)的氯化钴溶液中添加中和剂或碳酸化剂，生成氢氧化钴或碱性碳酸钴，将镁分离；浸出工序(S3)，向氢氧化钴或碱性碳酸钴添加硫酸，获得硫酸钴溶液；溶剂萃取工序(S4)，使含有烷基磷酸系萃取剂的有机溶剂与硫酸钴溶液接触，将锌、锰及钙萃取至有机溶剂中将其分离去除。中和工序(S2)中的中和剂或碳酸化剂的添加是通过逆流多段法来进行。
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公开(公告)号：CN101594737B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910202848.1
申请日：2009-05-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供：在导体配线形成时具有高蚀刻性，具体的是采用氯化铁水溶液或盐酸酸性氯化铜溶液进行蚀刻时，在导体配线间残留的基底金属层成分的蚀刻残渣少，对导体配线间施加高电压时，具有高的绝缘可靠性及耐蚀性的印刷配线基板及其制造方法。其是在绝缘树脂膜A的至少1个表面上，不通过粘接剂而依次叠层了由镍、或含镍70质量％以上、铬低于15质量％的镍-铬合金的金属层B；含镍、含铬15质量％以上的合金构成的金属层C、膜厚10nm～35μm的铜被膜层D构成的金属膜的不要部分，采用化学蚀刻处理进行选择性地除去，形成导体配线的印刷配线基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113474069B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202080013276.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造成本得以有效抑制的由氢氧化物制造同时含有钴和镍且高纯度的溶液的制造方法。含钴和镍的溶液的制造方法由以下工序构成：水洗工序，将粗镍氢氧化物和粗钴氢氧化物中的至少一者作为起始物质，由该起始物质得到水洗后粗氢氧化物，所述粗镍氢氧化物和粗钴氢氧化物均含有钴和镍以及作为杂质的所述钴和镍以外的元素，所述粗镍氢氧化物包含的镍比钴多，所述粗钴氢氧化物包含的钴比镍多；浸出工序，由所述水洗后粗氢氧化物得到浸出后液；中和工序，对所述浸出后液进行中和处理、固液分离处理，去除含有作为杂质的铁、硅、铝、铬中的一种以上的中和后残渣，得到中和后液；以及萃取工序，对所述中和后液进行溶剂萃取，得到同时含有钴和镍且减少了杂质的萃取后液。
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公开(公告)号：CN113474069A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080013276.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造成本得以有效抑制的由氢氧化物制造同时含有钴和镍且高纯度的溶液的制造方法。含钴和镍的溶液的制造方法由以下工序构成：水洗工序，将粗镍氢氧化物和粗钴氢氧化物中的至少一者作为起始物质，由该起始物质得到水洗后粗氢氧化物，所述粗镍氢氧化物和粗钴氢氧化物均含有钴和镍以及作为杂质的所述钴和镍以外的元素，所述粗镍氢氧化物包含的镍比钴多，所述粗钴氢氧化物包含的钴比镍多；浸出工序，由所述水洗后粗氢氧化物得到浸出后液；中和工序，对所述浸出后液进行中和处理、固液分离处理，去除含有作为杂质的铁、硅、铝、铬中的一种以上的中和后残渣，得到中和后液；以及萃取工序，对所述中和后液进行溶剂萃取，得到同时含有钴和镍且减少了杂质的萃取后液。
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公开(公告)号：CN110546310A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026566.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种金属板上的非导电膜不易脱落而能重复使用而且即使在非导电膜脱落的情况下也能容易地维护的金属电沉积用的阴极板及其制造方法。本发明的阴极板(1)具有：排列有复数个圆盘状的凸起部(2a)的金属板(2)；和在金属板(2)的凸起部(2a)以外的平坦部(2b)上形成的非导电膜(3)，对于凸起部(2a)，其侧面具有由大致垂直的部分(2d)和倾斜部(2e)构成的形状。另外，凸起部(2a)的高度L1为50μm以上且1000μm以下，将从在外侧与凸起部的外周缘相距20μm的位置X垂直向下的垂线与侧面的交点设为Y时，从X到Y的长度L2为40μm以上且0.8×L1μm以下。
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公开(公告)号：CN107532288A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026174.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 渡边宽人
Abstract: 本发明的课题是提供一种反应性溅射法，其使非腐蚀区域沉积的颗粒沉积物、腐蚀区域产生的结瘤不易从溅射靶脱离，又能抑制电弧放电等。本发明的技术方案是：该反应性溅射法使用在真空室(10)内具备磁控溅射阴极(17)、(18)、(19)、(20)的溅射装置，并且在真空室内导入含有反应性气体的工艺气体进行成膜，所述反应性溅射法的特征在于，该反应性气体由氧气或氮气构成并且反应性气体中含有水。在反应性气体所含的水分的作用下，颗粒沉积物、结瘤变得不易从溅射靶脱离，带电的颗粒沉积物、结瘤的电荷减少而使电弧放电被抑制。
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公开(公告)号：CN116056774B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202280006328.7
申请日：2022-01-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供硫酸钴的制造方法，在不利用电解工序的情况下从含有杂质的氯化钴溶液中将杂质与钴分离，制造纯度高的硫酸钴。依序实施下述工序：第1溶剂萃取工序(S1)，使含有杂质的氯化钴溶液与包含烷基磷酸系萃取剂的有机溶剂接触，将锌、锰及钙萃取至有机溶剂中而分离去除；脱铜工序(S2)，在氯化钴溶液中添加硫化剂，生成铜的硫化物沉淀而分离去除；第2溶剂萃取工序(S3)，使氯化钴溶液与包含羧酸萃取剂的有机溶剂接触，使钴萃取至有机溶剂中后，用硫酸将钴逆萃取而获得硫酸钴溶液；晶析工序(S4)，对经由第2溶剂萃取工序(S3)获得的硫酸钴溶液实施。能够在不利用电解工序的情况下，将包括镁的杂质与钴分离，直接制造高纯度的硫酸钴。
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