真空薄膜生长设备
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1160478C

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN98100854.2

    申请日:1998-02-26

    CPC classification number: H01J37/32422 H01J37/3266

    Abstract: 一种真空薄膜生长设备,其特征在于:它包括:一个真空腔,一个装在所述真空腔上的等离子体源,一个置于所述真空腔内的阳极,以及一个设在真空腔外将由所述等离子体源产生的等离子体束引导进入所述阳极的导引线圈;所述真空薄膜生长设备适用于将所述等离子体束引导向所述阳极并在一块衬底上形成一层薄膜;所述真空薄膜生长设备还包括一个用以校正所述等离子体束的扭转和/偏移的校正机构,所述校正机构包含设置于在所述导引线圈处、或者设置于所述导引线圈和所述真空腔之间另一位置处的一个磁体,在该另一位置处有从所述导引线圈产生的磁力线。

    离子喷镀装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1232511A

    公开(公告)日:1999-10-20

    申请号:CN97198505.7

    申请日:1997-09-26

    Abstract: 一种离子喷镀装置是在真空容器11内配设的炉床30a、30b的周围各自设有内带环状永久磁铁的辅炉床31a、31b。在相邻的2个等离子体枪1A和1B上所设的环状永久磁铁21a和21b的磁极取向、电磁线圈22a和22b的磁极取向、导向线圈24a和24b的磁极取向以及内藏内2个炉床内的2个环状永久磁铁的磁极取向互为反向。

    离子喷镀装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1149303C

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN97198505.7

    申请日:1997-09-26

    Abstract: 一种离子喷镀装置是在真空容器11内配设的炉床30a、30b的周围各自设有内带环状永久磁铁的辅炉床31a、31b。在相邻的2个等离子体枪1A和1B上所设的环状永久磁铁21a和21b的磁极取向、电磁线圈22a和22b的磁极取向、导向线圈24a和24b的磁极取向以及内藏在2个炉床内的2个环状永久磁铁的磁极取向互为反向。

    等离子处理方法及其处理装置

    公开(公告)号:CN1135538A

    公开(公告)日:1996-11-13

    申请号:CN95121151.X

    申请日:1995-12-28

    CPC classification number: H01J37/32422 H01J37/32623 H01J37/3266

    Abstract: 在包括真空容器和设置在该真空容器内的等离子束发生器以及配置在真空容器内的主蒸发台,并使从等离子发生器发生的等离子束入射至主蒸发台上的等离子处理装置中,在主蒸发台附近相对主蒸发台的中心轴线同轴地配置永久磁铁和蒸发台线圈。通过使供给该蒸发台线圈的电流变化调整物质熔化的能力并且调整蒸镀物质蒸发粒子的飞行分布。

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