公开(公告)号：CN102339737A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110199347.X

申请日：2011-07-15

Applicant: 住友重机械工业株式会社 ,  斯伊恩股份有限公司

Inventor： 田中胜 ,  栗山仁 ,  室冈博树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供的等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法，有助于基于等离子体掺杂的杂质注入的实用化。用于向半导体基板(W)添加杂质的等离子体掺杂装置(10)具备：腔室(12)；气体供给部(14)，用于向腔室(12)供给气体；及等离子体源(16)，用于在腔室(12)产生所供给的气体的等离子体。包括含有应添加到基板(W)的杂质元素的原料气体、氢气及用于稀释原料气体的稀释气体的混合气体供给至腔室(12)。

公开(公告)号：CN102339737B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110199347.X

申请日：2011-07-15

Applicant: 住友重机械工业株式会社 ,  斯伊恩股份有限公司

Inventor： 田中胜 ,  栗山仁 ,  室冈博树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供的等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法，有助于基于等离子体掺杂的杂质注入的实用化。用于向半导体基板(W)添加杂质的等离子体掺杂装置(10)具备：腔室(12)；气体供给部(14)，用于向腔室(12)供给气体；及等离子体源(16)，用于在腔室(12)产生所供给的气体的等离子体。包括含有应添加到基板(W)的杂质元素的原料气体、氢气及用于稀释原料气体的稀释气体的混合气体供给至腔室(12)。