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公开(公告)号：CN1197848A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98100854.2
申请日：1998-02-26
Applicant: 住友重机械工业株式会社 , 日本板硝子株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/3266
Abstract: 一种校正机构包括一个用以校正等离子体束扭转和/或偏移的磁体(51),它被置放在真空腔(21)和导引线圈(23)之间的一个位置处,在那里有由导引线圈产生的磁力线。
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公开(公告)号：CN1160478C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN98100854.2
申请日：1998-02-26
Applicant: 住友重机械工业株式会社 , 日本板硝子株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/3266
Abstract: 一种真空薄膜生长设备，其特征在于：它包括：一个真空腔，一个装在所述真空腔上的等离子体源，一个置于所述真空腔内的阳极，以及一个设在真空腔外将由所述等离子体源产生的等离子体束引导进入所述阳极的导引线圈；所述真空薄膜生长设备适用于将所述等离子体束引导向所述阳极并在一块衬底上形成一层薄膜；所述真空薄膜生长设备还包括一个用以校正所述等离子体束的扭转和/偏移的校正机构，所述校正机构包含设置于在所述导引线圈处、或者设置于所述导引线圈和所述真空腔之间另一位置处的一个磁体，在该另一位置处有从所述导引线圈产生的磁力线。
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公开(公告)号：CN104233201A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410160234.2
申请日：2014-04-21
Applicant: 住友重机械工业株式会社
Inventor： 酒见俊之
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其能够轻松调整对作为蒸发源的成膜材料导入等离子束的位置。本发明的成膜装置，在真空腔室（10）内通过等离子束（P）对成膜材料（Ma）进行加热而使其蒸发，并且使成膜材料的蒸发粒子（Mb）附着于成膜对象物（11）上，其构成为具备以下：等离子源，在腔室内生成等离子束；作为主阳极的主炉缸，被填充成为蒸发源的成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且引导等离子束；一对辅助线圈，隔着蒸发源配置于两侧；及辅助线圈电源部，以使一对辅助线圈的极性相互不同的方式供给直流电流。
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公开(公告)号：CN104178736B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410162793.7
申请日：2014-04-22
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具备调整来自蒸发源(2)的成膜材料粒子(Mb)的扩散宽度的扩散宽度调整部(50)。该扩散宽度调整部(50)能够使与短边方向D1正交的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部(50)能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔室(10)的侧壁(10i)及侧壁(10h)的方式，减小短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室(10)的壁面上的成膜材料粒子(Mb)减少，且能够提高成膜材料(Ma)的材料利用率。
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公开(公告)号：CN1165635C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN95121151.X
申请日：1995-12-28
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 在包括真空容器和设置在该真空容器内的等离子束发生器以及配置在真空容器内的主蒸发台，并使从等离子发生器发生的等离子束入射至主蒸发台上的等离子处理装置中，在主蒸发台附近相对主蒸发台的中心轴线同轴地配置永久磁铁和蒸发台线圈。通过使供给该蒸发台线圈的电流变化调整物质熔化的能力并且调整蒸镀物质蒸发粒子的飞行分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151313C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN97121761.0
申请日：1997-12-17
Applicant: 住友重机械工业株式会社
Abstract: 当在基片上形成薄膜期间，等离子束是指向坩埚，等离子束的电流流经坩埚的。而当在基片上完全形成薄膜之后，到在后续的基片上开始形成薄膜之前的一段时期内，使等离子束指向辅助阳极，以使等离子束电流通过辅助阳极而流动。
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公开(公告)号：CN1192483A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98100026.6
申请日：1998-01-14
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/081 , C23C14/325 , H01J37/3266
Abstract: 将具有环形永磁铁31的辅助阳极30放置在真空室11中,使辅助阳极和炉20的中心轴同轴且使其围绕着炉的上面的区域放置。将由使用弧光放电的等离子束发生器13产生的等离子束引入炉中。在炉中将镁用作汽化材料。向真空室中提供和氧混合的气体,因此,由炉中升华的氧化镁粒子和由等离子体产生的氧等离子体起反应以在基片40上形成氧化镁(MgO)膜。
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公开(公告)号：CN115142024B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210328654.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: C23C14/24 , C23C14/56 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种能够提高膜质量的成膜装置。在成膜装置(1)中，气体供给部(40)从主炉缸(17)侧朝向被引导至该主炉缸(17)的等离子体(P)供给包含构成膜的元素的气体。此时，气体供给部(40)能够向等离子体密度高的区域供给气体。由于被供给至该区域的气体的活性度提高，因此能够抑制基板(11)中的膜的元素的缺陷。综上所述，能够提高膜质量。
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公开(公告)号：CN104233201B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410160234.2
申请日：2014-04-21
Applicant: 住友重机械工业株式会社
Inventor： 酒见俊之
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其能够轻松调整对作为蒸发源的成膜材料导入等离子束的位置。本发明的成膜装置，在真空腔室（10）内通过等离子束（P）对成膜材料（Ma）进行加热而使其蒸发，并且使成膜材料的蒸发粒子（Mb）附着于成膜对象物（11）上，其构成为具备以下：等离子源，在腔室内生成等离子束；作为主阳极的主炉缸，被填充成为蒸发源的成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；作为辅助阳极的环炉缸，配置于主炉缸的周围，并且引导等离子束；一对辅助线圈，隔着蒸发源配置于两侧；及辅助线圈电源部，以使一对辅助线圈的极性相互不同的方式供给直流电流。
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公开(公告)号：CN104178736A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410162793.7
申请日：2014-04-22
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具备调整来自蒸发源(2)的成膜材料粒子(Mb)的扩散宽度的扩散宽度调整部(50)。该扩散宽度调整部(50)能够使与短边方向D1正交的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部(50)能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔室(10)的侧壁(10i)及侧壁(10h)的方式，减小短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室(10)的壁面上的成膜材料粒子(Mb)减少，且能够提高成膜材料(Ma)的材料利用率。
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