激光退火方法及激光控制装置

    公开(公告)号:CN112053943B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202010392037.9

    申请日:2020-05-11

    摘要: 本发明提供一种能够抑制半导体晶片的非照射面的温度上升并且能够高效地对照射面进行加热的激光退火方法。使激光脉冲周期性地入射于半导体晶片从而进行退火。此时,使下一周期的激光脉冲入射于基于上一次的激光脉冲的入射而温度上升后处于冷却过程中的位置。

    光学谐振腔
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111326945B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201911099407.3

    申请日:2019-11-12

    摘要: 本发明提供一种即使前反射镜的朝向外侧的面倾斜且将屋脊反射镜用于后反射镜也能够抑制因前反射镜的朝向外侧的面而产生的不必要的振荡的光学谐振腔。光学谐振腔具有前反射镜及后反射镜,并使光穿过激励激光气体的放电区域而进行往返。前反射镜的朝向外侧的面相对于与光学谐振腔的光轴垂直的假想平面倾斜。后反射镜具有处于彼此交叉的位置关系的平面状的两个反射区域。分别包括后反射镜的两个反射区域的两个假想平面的交线与前反射镜的朝向外侧的面的倾斜方向并不处于正交的关系。

    折返光学谐振腔
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111326946A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201911087510.6

    申请日:2019-11-08

    IPC分类号: H01S3/11

    摘要: 本发明提供一种不易产生反射镜的损伤的折返光学谐振腔。折返光学谐振腔的前反射镜由凹面镜构成,后反射镜具有处于彼此交叉的位置关系的平面状的两个反射区域,配置于前反射镜与后反射镜之间的光轴上的折返镜由凹面镜构成。

    评价装置、评价方法及显示装置

    公开(公告)号:CN110091052A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201811600387.9

    申请日:2018-12-26

    IPC分类号: B23K26/00 B23K26/70

    摘要: 本发明提供一种无需在激光装置的各部安装传感器即可利用简单的方法来检测动作异常的激光装置的评价装置。将从激光振荡器的开始激励至激光脉冲的上升为止的经过时间(即,累积时间)与取决于激光脉冲的脉冲能量的脉冲能量依存物理量的正常的对应关系存储于存储部。由数据获取部获取表示评价对象的激光振荡器的激励开始时刻的信息及从评价对象的激光振荡器输出的激光脉冲的光强度的随时间变化的测定结果。判定部根据由数据获取部获取的信息计算出累积时间及脉冲能量依存物理量,并将累积时间的计算值及脉冲能量依存物理量的计算值与正常的对应关系进行比较,从而判定评价对象的激光振荡器的动作的正常性。

    激光加工装置以及激光加工方法

    公开(公告)号:CN104057203B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201410090728.8

    申请日:2014-03-12

    IPC分类号: H01S3/134

    摘要: 本发明提供一种激光加工装置以及激光加工方法,该激光加工装置即使在脉冲宽度较短时,也能够使每个脉冲的脉冲能量稳定。激光光源与从外部接收的激光振荡开始触发信号同步开始激光振荡,并与激光振荡停止触发信号同步停止激光振荡。检测器检测依赖于向激光光源施加的电力以及从激光光源射出的激光脉冲的至少其中之一的物理量。控制装置向激光光源施加激光振荡开始触发信号,并且根据利用检测器检测的物理量的检测结果,向激光光源施加振荡停止触发信号。

    折返光学谐振腔
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111326946B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201911087510.6

    申请日:2019-11-08

    IPC分类号: H01S3/11

    摘要: 本发明提供一种不易产生反射镜的损伤的折返光学谐振腔。折返光学谐振腔的前反射镜由凹面镜构成,后反射镜具有处于彼此交叉的位置关系的平面状的两个反射区域,配置于前反射镜与后反射镜之间的光轴上的折返镜由凹面镜构成。

    激光退火装置的控制装置及激光退火方法

    公开(公告)号:CN115803852A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180043232.3

    申请日:2021-06-14

    IPC分类号: H01L21/268 H01L21/265

    摘要: 控制装置控制退火装置,该退火装置使激光束入射于半导体晶片的表面,并使激光束的光束点在半导体晶片的表面上移动,从而进行激光退火。该控制装置将激光束的光束点的扫掠速度设为快于半导体晶片的热扩散率除以半导体晶片的厚度而得的值的两倍。由此,能够充分地提高半导体晶片的激光照射面的温度并且能够抑制非照射面的温度上升。

    激光退火装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108022853B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201610955064.6

    申请日:2016-11-03

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种能够推测注入于较深区域的掺杂剂的活性化率的激光退火装置。退火对象物保持在从激光光源输出的激光束入射的位置。红外线检测器检测来自退火对象物的热辐射光。在从退火对象物到红外线检测器为止的热辐射光的路径上配置有不使波长比1μm短的光入射到红外线检测器的光学元件。