公开(公告)号：CN110023530A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201680091204.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  桑卡拉·皮莱 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。

公开(公告)号：CN107849683A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041492.6

申请日：2016-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C23C14/0617 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C14/545 ,  C23C14/548 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C28/44 ,  C23C30/005 ,  H01J37/3467

Abstract: 位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。

公开(公告)号：CN110023530B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680091204.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  桑卡拉·皮莱 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。

公开(公告)号：CN107849683B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201680041492.6

申请日：2016-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

Abstract: 位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。

公开(公告)号：CN105980596B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201480075383.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 敏斯材料公司

Inventor： 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  丹尼尔·马根法尔特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/32 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06

Abstract: 本公开内容提供了涂覆基底以提供控制的平面内组成调制的方法。该方法包括提供第一材料或材料组合物的第一靶，提供不同于第一材料或材料组合物的第二材料或材料组合物的第二靶(104、204、304)；激活第一靶和第二靶(103、104；203、204；303、304)以通过蒸发、升华或溅射释放颗粒；以及引起所释放的颗粒撞击至基底(102、202、302)上，使得基底被涂覆。靶(103、104；203、204；303、304)中的一个的激活包括提供一系列的激活脉冲，使得颗粒的脉冲的蒸发、升华或溅射被提供，而靶(103、104；203、204；303、304)中的另一个是大体上钝态的。第一和第二靶材料或材料组合物呈现：相应的同系温度，其被定义为基底温度(Ts)与具有最低熔解温度(Tmi)的靶材料(i)的靶材料熔解温度(Tmi)的比率(Ts/Tmi)；混溶性(ΔH混合AB)，其通过靶材料或材料组合物的混合焓定义，其中材料的大于零的混合焓定义为不混溶的且材料的小于零的混合焓定义为可混溶的；以及二维生长模式或三维生长模式。在该方法中，同系温度大于0.1且小于0.5，并且每脉冲串的从每种靶材料沉积的材料的量大于0.1单层且小于100单层、优选地小于50单层、小于10单层或小于2单层。

公开(公告)号：CN105980596A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075383.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 敏斯材料公司

Inventor： 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  丹尼尔·马根法尔特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/32 ,  C23C14/28 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/3485 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/28 ,  C23C14/325 ,  C23C14/3464

Abstract: 本公开内容提供了涂覆基底以提供控制的平面内组成调制的方法。该方法包括提供第一材料或材料组合物的第一靶，提供不同于第一材料或材料组合物的第二材料或材料组合物的第二靶(104、204、304)；激活第一靶和第二靶(103、104；203、204；303、304)以通过蒸发、升华或溅射释放颗粒；以及引起所释放的颗粒撞击至基底(102、202、302)上，使得基底被涂覆。靶(103、104；203、204；303、304)中的一个的激活包括提供一系列的激活脉冲，使得颗粒的脉冲的蒸发、升华或溅射被提供，而靶(103、104；203、204；303、304)中的另一个是大体上钝态的。第一和第二靶材料或材料组合物呈现：相应的同系温度，其被定义为基底温度(Ts)与具有最低熔解温度(Tmi)的靶材料(i)的靶材料熔解温度(Tmi)的比率(Ts/Tmi)；混溶性(ΔH混合AB)，其通过靶材料或材料组合物的混合焓定义，其中材料的大于零的混合焓定义为不混溶的且材料的小于零的混合焓定义为可混溶的；以及二维生长模式或三维生长模式。在该方法中，同系温度大于0.1且小于0.5，并且每脉冲串的从每种靶材料沉积的材料的量大于0.1单层且小于100单层、优选地小于50单层、小于10单层或小于2单层。