公开(公告)号：CN110023530B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680091204.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  桑卡拉·皮莱 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。

公开(公告)号：CN110023530A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201680091204.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  敏斯材料公司

Inventor： 内海庆春 ,  佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 ,  津田圭一 ,  康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 ,  桑卡拉·皮莱 ,  丹尼尔·冈纳·马根法尔特

IPC: C23C14/06

Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。