公开(公告)号：CN101356643B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780001405.5

申请日：2007-09-05

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 伊藤哲平 ,  和田雅浩 ,  田中宏之 ,  广瀬浩 ,  橘贤也

IPC: H01L23/12 ,  C08J5/24 ,  C08L63/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/305 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了一种用于防止半导体器件由于温度变化而损坏的技术。当将硅片倒装安装在具有薄型板芯结构的堆积型多层衬底上时，将具有较小的热膨胀系数的板芯用在多层衬底中，并且根据板芯的厚度和热膨胀系数适当地设计底部填料的热膨胀系数和玻璃化转变点。这样，将能够减轻由于温度变化而产生的多层衬底形变所导致的半导体封装内部的应力，从而防止半导体封装由于温度变化而损坏。

公开(公告)号：CN101356643A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200780001405.5

申请日：2007-09-05

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 伊藤哲平 ,  和田雅浩 ,  田中宏之 ,  广瀬浩 ,  橘贤也

IPC: H01L23/12 ,  C08J5/24 ,  C08L63/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/305 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供了一种用于防止半导体器件由于温度变化而损坏的技术。当将硅片倒装安装在具有薄型板芯结构的堆积型多层衬底上时，将具有较小的热膨胀系数的板芯用在多层衬底中，并且根据板芯的厚度和热膨胀系数适当地设计底部填料的热膨胀系数和玻璃化转变点。这样，将能够减轻由于温度变化而产生的多层衬底形变所导致的半导体封装内部的应力，从而防止半导体封装由于温度变化而损坏。