公开(公告)号：CN101449377A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018377.8

申请日：2007-05-15

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 杉野光生 ,  桂山悟 ,  山下浩行

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/145 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01049

Abstract: 本发明提供了半导体器件1，其包括其上安装有第一半导体芯片2的第一基板3，其上安装有第二半导体芯片5的第二基板5，和与第一基板3和第二基板5电连接的连接部件6。第一基板3具有叠层31A和31B，在每一个叠层中，含有树脂的绝缘层311和导体互连层312，313交替层叠，导体互连层312通过形成于绝缘层311的通孔中的导电层314被连接。第二基板5也具有叠层31A和31B。在第一基板3和第二基板5中的至少之一的叠层的至少一个绝缘层311，25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少，且25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少。

公开(公告)号：CN101449377B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780018377.8

申请日：2007-05-15

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 杉野光生 ,  桂山悟 ,  山下浩行

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/145 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01049

Abstract: 本发明提供了半导体器件1，其包括其上安装有第一半导体芯片2的第一基板3，其上安装有第二半导体芯片5的第二基板5，和与第一基板3和第二基板5电连接的连接部件6。第一基板3具有叠层31A和31B，在每一个叠层中，含有树脂的绝缘层311和导体互连层312，313交替层叠，导体互连层312通过形成于绝缘层311的通孔中的导电层314被连接。第二基板5也具有叠层31A和31B。在第一基板3和第二基板5中的至少之一的叠层的至少一个绝缘层311，25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板面内方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少，且25℃至其玻璃化转变温度的温度范围内，沿基板厚度方向的平均热膨胀系数是35ppm/℃或更少。

公开(公告)号：CN101432876A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015010.0

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 杉野光生 ,  桂山悟 ,  山代智绘 ,  宫本哲也 ,  山下浩行

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体器件(100)包含其表面上装有第一半导体芯片(125)的第一树脂基板(101)；其表面上装有第二半导体芯片(131)的第二树脂基板(111)；和与第一树脂基板(101)的正面和与第二树脂基板(111)的背面接合使这些表面电连接的树脂基材(109)。在第一树脂基板(101)表面中的第一树脂基板(101)周围安置树脂基材(109)。此外，在第一树脂基板(101)表面上，在位于第一树脂基板(101)、第二树脂基板(111)和树脂基材(109)之间的空间中安置第一半导体芯片(125)。

公开(公告)号：CN101432876B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200780015010.0

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 杉野光生 ,  桂山悟 ,  山代智绘 ,  宫本哲也 ,  山下浩行

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体器件(100)包含其表面上装有第一半导体芯片(125)的第一树脂基板(101)；其表面上装有第二半导体芯片(131)的第二树脂基板(111)；和与第一树脂基板(101)的正面和与第二树脂基板(111)的背面接合使这些表面电连接的树脂基材(109)。在第一树脂基板(101)表面中的第一树脂基板(101)周围安置树脂基材(109)。此外，在第一树脂基板(101)表面上，在位于第一树脂基板(101)、第二树脂基板(111)和树脂基材(109)之间的空间中安置第一半导体芯片(125)。